外媒報(bào)道指被用于2納米的第二代EUV光刻機(jī)將在明年交付,不過產(chǎn)量將只有10臺(tái),其中6臺(tái)已優(yōu)先給予美國(guó)的芯片企業(yè)Intel,剩下的4臺(tái)將被三星、臺(tái)積電、SK海力士等爭(zhēng)奪,臺(tái)積電未必能搶到。
臺(tái)積電和三星當(dāng)下以第一代EUV光刻機(jī)生產(chǎn)3納米都遇到了麻煩。臺(tái)積電繼續(xù)采用成熟的FinFET技術(shù),以第一代EUV光刻機(jī)生產(chǎn)3納米,良率為55%,不如5納米的九成以上良率,還導(dǎo)致生產(chǎn)的A17處理器性能提升僅一成、功耗過高。
三星激進(jìn)地采用GAA技術(shù),以第一代EUV光刻機(jī)生產(chǎn)3納米,性能提升幅度未知,不過良率低至一到兩成,這也導(dǎo)致三星的3納米至今不知客戶是誰,業(yè)界認(rèn)為沒有客戶采用,因?yàn)?納米的成本本來就高,低至兩成以下的良率更導(dǎo)致成本高到天上去,沒有芯片企業(yè)能夠承受。
如果3納米能采用第二代EUV光刻機(jī)生產(chǎn),預(yù)計(jì)良率可以得到大幅提升,而且性能會(huì)更好,畢竟第二代EUV光刻機(jī)的光刻更精準(zhǔn)、耗電量更小,這樣付出的成本代價(jià)才能獲得足夠的性能提升。
3納米用第一代EUV光刻機(jī)尚且無法獲得經(jīng)濟(jì)的生產(chǎn)成本,那么就更不可能用第一代EUV光刻機(jī)生產(chǎn)2納米了,這是導(dǎo)致第二代EUV光刻機(jī)尚未正式量產(chǎn)就被多家芯片企業(yè)爭(zhēng)奪的重要原因,而且這對(duì)于美國(guó)芯片行業(yè)來說還有獨(dú)特的意義。
美國(guó)芯片的制造巨頭是Intel,Intel在2014年量產(chǎn)14納米兩年之后,都仍然保持著全球最先進(jìn)芯片制造企業(yè)的名號(hào),不過隨著臺(tái)積電、三星等將芯片制造工藝推進(jìn)到10納米以下,而Intel卻只能繼續(xù)對(duì)14納米改良再改良,美國(guó)就失去了芯片制造工藝的優(yōu)勢(shì)了。
為了重奪芯片制造領(lǐng)先地位,美國(guó)對(duì)臺(tái)積電和三星可謂軟硬兼施,又是技術(shù)限制威脅,又是給出520億美元芯片補(bǔ)貼的胡蘿卜,最終促使臺(tái)積電和三星都上交了機(jī)密數(shù)據(jù),還赴美設(shè)廠。
臺(tái)積電不僅同意赴美設(shè)廠生產(chǎn)4納米,還同意投資400億美元在美國(guó)建設(shè)最先進(jìn)的3納米工藝,還在美國(guó)的逼迫下上交了機(jī)密數(shù)據(jù),可以說臺(tái)積電對(duì)美國(guó)已徹底交心了。
后來美國(guó)的做法卻說明臺(tái)積電并未被它視為自己人,先是在芯片補(bǔ)貼分配方面糊弄了臺(tái)積電,只給予臺(tái)積電10%的芯片補(bǔ)貼,補(bǔ)貼份額還不如三星的13%,后來更給出芯片補(bǔ)貼細(xì)則,要求臺(tái)積電共享技術(shù)和利潤(rùn),如此臺(tái)積電感覺補(bǔ)貼拿了不劃算,計(jì)劃舍棄補(bǔ)貼。
再到如今美國(guó)要求ASML將2納米光刻機(jī)優(yōu)先交給Intel,這更是說明美國(guó)的目的還是扶持本土芯片企業(yè)Intel;ASML也不得不如此做,因?yàn)镋UV光刻技術(shù)掌握在美國(guó)手里,當(dāng)初就是美國(guó)將EUV光刻技術(shù)交給ASML而不日本的佳能、尼康導(dǎo)致日本光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的衰敗,自然ASML得聽美國(guó)的話。
Intel預(yù)計(jì)拿到2納米光刻機(jī)之后,Intel相當(dāng)于2納米的工藝將在2025年量產(chǎn),而臺(tái)積電至少得等到2026年,這中間或許還會(huì)有其他手段阻礙臺(tái)積電發(fā)展2納米工藝,美國(guó)重奪芯片制造工藝領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)已幾乎是板上釘釘了。
可以看出美國(guó)為了確保Intel再次取得芯片制造工藝領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),必然會(huì)使出諸多手段,阻礙臺(tái)積電的2納米工藝先于Intel量產(chǎn),業(yè)界認(rèn)為無論臺(tái)積電如何親近美國(guó),美國(guó)都會(huì)打壓它而扶持Intel,臺(tái)積電這次在先進(jìn)工藝制程方面真的被美國(guó)卡脖子啦。
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