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    臺積電認(rèn)栽了,將購買2納米EUV光刻機(jī),不然搞不定2納米工藝

    臺積電之前曾說2納米、1.6納米都無需2納米EUV光刻機(jī),不過日前臺積電突然改口了,將采購2納米EUV光刻機(jī),這意味著臺積電在開發(fā)2納米、1.6納米工藝的過程中已遭遇了巨大的困難。

    臺積電之前的說法是以現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)就可以量產(chǎn)2納米、1.6納米,這樣可以降低成本,畢竟2納米EUV光刻機(jī)實在太貴了,它的說法曾鼓舞了全球芯片行業(yè),通過技術(shù)創(chuàng)新可以進(jìn)一步挖掘EUV光刻機(jī)的潛力。

    第一代EUV光刻機(jī)售價達(dá)到1.2億美元,而2納米EUV光刻機(jī)售價達(dá)到3.8億美元,2納米EUV光刻機(jī)的昂貴價格,嚇退了臺積電,因此臺積電試圖以現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)生產(chǎn)2納米工藝,以降低成本。

    臺積電已擁有100多臺第一代EUV光刻機(jī),這些設(shè)備已用于生產(chǎn)7納米、5納米以及去年量產(chǎn)的3納米工藝,如果2納米工藝需要采用2納米光刻機(jī),那么就意味著擁有的100多臺第一代EUV光刻機(jī)很快就要被拋棄,臺積電顯然不甘心。

    然而如今臺積電改變了說法,就意味著臺積電終究無法通過技術(shù)創(chuàng)新,來利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)生產(chǎn)2納米,將不得不大舉采購2納米EUV光刻機(jī),付出巨額的投資,這讓臺積電頗為無奈。

    臺積電在開發(fā)3納米工藝的時候,其實就已發(fā)現(xiàn)第一代EUV光刻機(jī)面臨局限,臺積電去年量產(chǎn)的3納米工藝良率僅有55%左右,遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法達(dá)到之前5納米、7納米的九成以上的良率,臺積電目前正在進(jìn)一步改良3納米工藝,希望今年能達(dá)到九成以上的良率。

    臺積電當(dāng)下的3納米工藝其實已放棄了一些性能,它繼續(xù)沿用了原來的FinFET工藝,而三星則已激進(jìn)地采用了GAA工藝,F(xiàn)inFET工藝的性能不如GAA工藝,不過GAA工藝難度更大,也導(dǎo)致三星的3納米工藝良率低至兩成,但是沿用FinFET工藝的后果就是生產(chǎn)的蘋果A17處理器性能僅提升一成,這與此前5納米可以提升三成性能差距很大,說明FinFET工藝確實不適合3納米以下工藝。

    如此情況下,臺積電在2納米工藝上勢必要引入GAA工藝,進(jìn)一步加大工藝的開發(fā)難度,繼續(xù)用第一代EUV光刻機(jī)生產(chǎn)2納米工藝的困難會更大;對比之下,Intel已大舉采購2納米EUV光刻機(jī),并預(yù)期明年就能量產(chǎn)2納米工藝。

    臺積電則希望在2026年量產(chǎn)2納米工藝,如今它發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有的第一代EUV光刻機(jī)生產(chǎn)2納米工藝存在巨大的難度,恐怕只能加快采購2納米EUV光刻機(jī)了,不過ASML今年量產(chǎn)的10臺2納米EUV光刻機(jī)已預(yù)定給Intel了,臺積電的產(chǎn)能規(guī)模極大,明年的2納米光刻機(jī)就得搶了。

    臺積電的遭遇說明人類技術(shù)有局限,特別是芯片工藝在納米工藝時代都已完全依賴設(shè)備,采用舊設(shè)備生產(chǎn)先進(jìn)工藝難度太高了,強(qiáng)如臺積電都無法克服機(jī)器的極限,這對于中國的芯片企業(yè)希望利用現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)生產(chǎn)5納米工藝無疑是一大教訓(xùn),機(jī)器的技術(shù)進(jìn)步實在太重要了。

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    2024-06-07
    臺積電認(rèn)栽了,將購買2納米EUV光刻機(jī),不然搞不定2納米工藝
    臺積電認(rèn)栽了,將購買2納米EUV光刻機(jī),不然搞不定2納米工藝

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