配圖來自Canva可畫
伴隨著智能手機革命而興起的移動互聯(lián)網(wǎng)時代,為我國經(jīng)濟社會發(fā)展注入了巨大的活力,同時也使得全國上下對互聯(lián)網(wǎng)、半導(dǎo)體、集成電路(芯片)等產(chǎn)業(yè)的重視程度不斷提高。而集成電路是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,也是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展最受關(guān)注的焦點。
從2014年印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》開始,政府對集成電路產(chǎn)業(yè)的扶持政策提升至國家戰(zhàn)略層面,并設(shè)立國家產(chǎn)業(yè)投資基金。尤其在2017年-2018年之后,我國幾乎開始以破釜沉舟的決心推動集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,各級政府紛紛出臺扶持政策,一時間全國上下掀起了一陣造芯熱潮。
前赴后繼的造芯夢想家們
在這波造芯熱潮中,成功崛起的企業(yè)屈指可數(shù),相比龐大的芯片企業(yè)基數(shù)微不足道,堪稱是“一將成名萬骨枯”。而在那些被淘汰的企業(yè)中,有一些甚至造成了百億規(guī)模的嚴(yán)重損失。
首先是抵押了7nm光刻機的武漢弘芯。
2017年11月,弘芯半導(dǎo)體項目在武漢成立,號稱擁有14納米工藝自主研發(fā)技術(shù),要攻克7nm,還擁有大陸唯一一臺7nm光刻機,請來業(yè)界大佬臺積電前任CTO蔣尚義擔(dān)任CEO。然而,三年之后,項目被曝爛尾,弘芯被多個分包公司告上法庭。
根據(jù)相關(guān)信息披露,武漢弘芯項目投資總額1280億元,截至 2019 年底已完成投資153 億元,2020年計劃投資87億元。如今項目爛尾,7nm光刻機被拿去抵押,造成的經(jīng)濟損失高達上百億元。
其次是牽手格羅方德的成都格芯。
成都格芯于2017年5月份啟動,由全球第三大晶圓代工廠格羅方德和成都市政府合作組建,規(guī)劃投資 90.53 億美元,當(dāng)時被稱為格羅方德在全球投資規(guī)模最大、技術(shù)最先進的生產(chǎn)基地。
成都政府為格芯建廠投入70億元,負責(zé)廠房、配套的建設(shè)和研發(fā)、運營、后勤團隊的組建。然而,沒能等到正式投產(chǎn)的日子,建廠兩年不到格芯就停擺了,于2019年5月下發(fā)停工、停業(yè)通知,造成的經(jīng)濟損失接近百億。
還有想做IDM晶圓廠的南京德科碼。
德科碼(南京)半導(dǎo)體成立于2015年11月,總投資約25億美元,規(guī)劃生產(chǎn)電源管理芯片、微機電系統(tǒng)芯片等。此外,該項目還將建設(shè)8英寸/12英寸晶圓制造廠、封裝測試廠、設(shè)備再制造廠、科研設(shè)計中心、IC設(shè)計企業(yè)和配套生活區(qū)。
德科碼曾被寄予厚望,然而因為缺乏融資能力,最終還是迅速爛尾,2019年11月5日被南京當(dāng)?shù)卣紴槭疟粓?zhí)行人。
這些在不同地區(qū)創(chuàng)立的造芯項目在啟動之初都聲勢浩大,同樣都在短短幾年之內(nèi)先后陷入爛尾、停產(chǎn)、勞務(wù)糾紛,造成嚴(yán)重的經(jīng)濟損失,也讓眾多參與者的造芯夢碎了一地。
這些企業(yè)起初都是打著“國產(chǎn)芯”的旗號,大肆宣傳“芯片自主”,然后倉促上馬,轉(zhuǎn)瞬之間鎩羽而歸,最終留下一地雞毛。令人不安的是,在一眾芯片企業(yè)中,很可能這樣急功近利搞“造芯運動”的并不在少數(shù)。
造芯考驗芯片企業(yè)的長期耐力
在當(dāng)前愈演愈烈的造芯熱潮中,盡管我們已經(jīng)看到中芯國際、長江存儲、寒武紀(jì)等一批初具規(guī)模的企業(yè)成長起來。但更多的是在“政策補貼”的帶動效應(yīng)以及“國產(chǎn)替代”的吶喊聲中旋生旋滅的泡沫。
或許這種“沙里淘金”的經(jīng)歷,也是產(chǎn)業(yè)發(fā)展無法逃掉的“必修課”,但當(dāng)前有些地區(qū)和企業(yè)交出的“學(xué)費”實在是有些太高了。
在政策和資本的加持下,如今席卷全國的“造芯熱”仍在不斷被推向一波又一波的新高潮。企查查數(shù)據(jù)顯示,目前我國共有4.63萬家芯片相關(guān)企業(yè),2019年相關(guān)企業(yè)新增0.58萬家,今年前三季度新增企業(yè)1.28萬家,其中三季度新注冊0.62萬家,同比增長288.4%,環(huán)比增長34.8%。
但集成電路是資本、技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè),能夠脫穎而出的企業(yè)終究屬于少數(shù)。如今國內(nèi)聲勢浩大的造芯運動,最終能夠有所成就的也只會是少數(shù)參與者,其中大多數(shù)地區(qū)和企業(yè)的努力,注定難以獲得預(yù)期中的回報。
畢竟回顧數(shù)十年的行業(yè)發(fā)展史,全球范圍內(nèi)最終也只有臺積電、英特爾、鎂光等少數(shù)巨頭能夠幸存至今。國內(nèi)集成電路發(fā)展,同樣脫離不了行業(yè)的客觀規(guī)律。
芯片自主更需要集中化布局
國產(chǎn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨著非常復(fù)雜的內(nèi)外環(huán)境。從外部環(huán)境綜合來看,就是必須加快實現(xiàn)芯片自主;而從內(nèi)部環(huán)境來說,各地區(qū)都想自己把半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)搞出成績。在這樣的環(huán)境中,出現(xiàn)“造芯熱”有著一定的必然性。
不過事實上很多損失都可以避免,集成電路產(chǎn)業(yè)本身在技術(shù)和人才方面就業(yè)很高的門檻,在脫離“浮躁”、“僥幸”心態(tài)之后,不難認(rèn)識到,要想真正加速推進集成電路發(fā)展,與其任由各地遍地開花的建設(shè)產(chǎn)業(yè)園,不如集中資源重點發(fā)展幾家企業(yè),而當(dāng)前國家已經(jīng)表示將進一步加強規(guī)劃布局。
另外,在集成電路產(chǎn)業(yè)方面,我國只是在少數(shù)幾個領(lǐng)域有明顯短板,并非全面落后于國際先進水平。
在IC設(shè)計領(lǐng)域,除了華為海思,紫光展銳、中興等企業(yè)同樣具備7nm以下的先進制程芯片設(shè)計能力;在封裝測試領(lǐng)域,國內(nèi)的長電科技是全球排名前三的封測龍頭。
IC制造領(lǐng)域算是我國集成電路產(chǎn)業(yè)的短板,而更底層的半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,同樣較國際先進水平存在顯著差距。
更具體地進行分析,我國晶圓制造的先進制程工藝是最大的短板,而關(guān)鍵的難點是國產(chǎn)光刻機相比阿斯麥落后太多。阿斯麥已經(jīng)量產(chǎn)的EUV光刻機可以應(yīng)用于5nm以下的晶圓制造,據(jù)傳2021年將推出面向3nm以下的下一代EUV光刻機。
想要加快推進我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,實現(xiàn)芯片自主,擴展規(guī)模固然很重要,但更關(guān)鍵的是要盡快解決光刻機等難點問題。只有解決了難點問題,補齊了短板,芯片自主才有希望真正實現(xiàn)。
總之,相比起成千上萬的企業(yè)蜂擁而起,漫無目的地各自發(fā)展,集成電路產(chǎn)業(yè)更需要的是重點發(fā)展少數(shù)重點企業(yè)攻堅克難,補齊短板,然后再帶動整體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。
文/劉曠公眾號,ID:liukuang110
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