1月4日消息（顏翊）SEMI國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會公布最新一季全球晶圓廠預(yù)測報告，全球半導(dǎo)體產(chǎn)能繼2023年以5.5%增長率至每月2960萬片晶圓之后，預(yù)計2024年將增長6.4%，突破3000萬片大關(guān)。

不同于2023年的產(chǎn)能擴張溫和主要受到市場需求走緩，半導(dǎo)體進入庫存調(diào)整期所致；2024年包含生成式AI和高效能運算(HPC)等應(yīng)用推動，以及芯片在終端需求的復(fù)蘇，加速先進制程和晶圓代工產(chǎn)能擴增。

最新一季全球晶圓廠預(yù)測報告顯示，2022年至2024年預(yù)測期間，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)計劃將有82座新晶圓廠投產(chǎn)，其中2023年及2024分別有11座及42座，涵蓋了4寸(100mm)到12寸(300mm)晶圓的生產(chǎn)線。

圖：2022年至2024年期間，新投入營運的晶圓廠數(shù)量

中國推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擴張

在政府和其他激勵措施推動下，預(yù)期中國大陸地區(qū)將擴大在全球半導(dǎo)體產(chǎn)能的占比。中國大陸芯片制造商預(yù)計2024年將新投產(chǎn)18座新晶圓廠，產(chǎn)能增長率將從2023年的12%增至2024年的13%，產(chǎn)能將從760萬片增長至860萬片。

中國臺灣地區(qū)仍將維持產(chǎn)能排名第二，產(chǎn)能年增率分別為2023年的5.6%及2024年的4.2%，每月產(chǎn)能由540萬片增長至570萬片，預(yù)計自2024年起將有5座新晶圓廠投產(chǎn)。

產(chǎn)能排名第三的韓國預(yù)計2024年將有1座新晶圓廠投產(chǎn)，產(chǎn)能將從2023年490萬片增長5.4%至2024年510萬片；

產(chǎn)能全球第四的日本預(yù)計2024年將有4座新晶圓廠投產(chǎn)，產(chǎn)能將從2023年460萬片成長至2024年470萬片，年成長率約2%。

預(yù)測報告顯示，美洲地區(qū)到2024年將有6座新晶圓廠投產(chǎn)，晶圓產(chǎn)能年增率將達6%提升至310萬片。歐洲和中東地區(qū)在2024年將有4座新晶圓廠投產(chǎn)，預(yù)計將增加3.6%產(chǎn)能，達到270萬片。東南亞2024年將有4座新晶圓廠投產(chǎn)，預(yù)計產(chǎn)能將增加4%，達到170萬片。

晶圓代工領(lǐng)域產(chǎn)能持續(xù)強勁成長

晶圓代工業(yè)者將持續(xù)采購最多的半導(dǎo)體設(shè)備，引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擴張，其產(chǎn)能提升將從2023年的930萬片，至2024年達1020萬片的新紀(jì)錄。

受到個人計算機和智能手機等消費性電子產(chǎn)品需求疲軟影響，2023年存儲器領(lǐng)域產(chǎn)能擴張趨緩；

DRAM領(lǐng)域產(chǎn)能預(yù)計在2023年微增2%至380萬片，2024年則增加5%至400萬片；

3D NAND每月產(chǎn)能預(yù)計2023年持平，保持在360萬片，2024年則將增長2%至370萬片。

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