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    臺積電2納米芯片性能提升僅15%,知情人士稱試產(chǎn)良率超過60%

    極客網(wǎng)·芯片12月20日 臺積電正在優(yōu)化下一代芯片制程N2,也就是2納米芯片。從最近泄露的信息看,N2的能效和密度的確優(yōu)于N3,但可能提升的幅度沒有那么大。

    不論怎樣,如果單看GPU,至少還有2代的進步空間。目前GPU采用的是N5制程。照估計,AMD、英偉達都會向N3挺進,然后是N2;至于英特爾,不知道,因為它很危險,可能退出GPU競爭。也就是說,如果單看制程,未來一段時間仍然會有不錯的進步。

    有傳聞稱,不論是AMD還是英偉達下一代GPU芯片,包括英偉達RTX 5090和Blackwell,未來一段時間會繼續(xù)使用5nm加強版(N5P)制程,實際上相當于N4。

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    臺積電稱N2性能相比N3提升15%

    按照臺積電的說法,N2的性能相比N3提升15%,也就是說在相同體積內(nèi)植入的晶體管增加15%。

    這聽起來不錯,有兩點需要注意。首先,N2雖然相比N3只提升了15%,但相比N5和N4提升巨大。其次,臺積電聲稱N2的SRAM密度有提升。實際上,SARM方面的提升已經(jīng)遇到瓶頸,臺積電說過N3相比N5沒有進步,但N2會帶來驚喜。N2的密度為38Mb/mm^2,N3為33.55 Mb/mm^2。

    在大多芯片上,SRAM占據(jù)了很大的空間,無法縮小SRAM已經(jīng)成為一個需要解決的難題,N2能在SARM方面取得進步,這的確是個好消息。

    然后就是效率。臺積電稱,N3制程的能效提升25-30%。也就是說,同樣的性能能耗會減少,相同的能則耗性能會更強。

    如果進展順利,N2芯片會在明年下半年開始零售,極有可能會出現(xiàn)在蘋果產(chǎn)品上。

    如果是PC,不論是AMD還是英偉達產(chǎn)品,在未來一段時間仍會使用5nm加強版(N5P)制程。照預計,它們的產(chǎn)品會在2027年進入N3,2029年進入N2,至少要到2031年年初才能真正買到。

    知情者稱臺積電2納米試產(chǎn)良率超60%

    知情者透露,臺積電2納米試產(chǎn)良率超過60%,高于預期,明年會量產(chǎn)。但英特爾前CEO Pat Gelsinger認為,用良率這一指標來衡量不太準確,因為大的晶圓良率低,小的良率高。也就是說,臺積電的所說的良率只能作為參考。

    目前全球約有99%的AI芯片都由臺積電生產(chǎn),3納米需求仍然旺盛,2納米對AI客戶更有吸引力。

    再看對手英特爾,它的18A生產(chǎn)線似乎遇到麻煩,良率不到10%。當然,Pat Gelsinger曾駁斥了這種說法。

    韓國媒體報道稱,明年三星和臺積電的2納米芯片會進入量產(chǎn),但臺積電占據(jù)上風,它已經(jīng)公布詳細的試產(chǎn)時間表,而且正在積極擴充產(chǎn)能。蘋果是臺積電的重要客戶,它會率先采用2納米技術(shù),AMD和英偉達隨后入場。

    產(chǎn)業(yè)人士認為,明年4月臺積電會試產(chǎn)2納米芯片,大規(guī)模量產(chǎn)要等到下半年。業(yè)界普遍認為,最先引入2納米芯片的會是iPhone。明年下半年三星電子也會試生產(chǎn),大規(guī)模量產(chǎn)要等到四季度。

    雖然2納米帶來一些提升,但研發(fā)成本、設(shè)計復雜度也在增加。2納米涉及到更精密的焊接技術(shù)、更出色的晶圓平整度、更好的原子層沉積(ALD) 技術(shù),大多用來制造3納米芯片的設(shè)備都需要更換或者調(diào)校。2納米晶圓每塊約為3萬美元,相當于4納米、5納米晶圓的2倍。

    臺積電董事長劉德音說:“2納米技術(shù)的需求已經(jīng)超出供給,超過了3納米的需求。”目前臺積電正在努力擴大產(chǎn)能。在早期階段,臺積電的目標是每個月生產(chǎn)50000塊2納米晶圓。

    在3納米GAA方面,三星電子遭遇挫折,它正在努力恢復元氣。進入2納米賽場,三星電子希望能優(yōu)化生產(chǎn)效率、鞏固市場地位。年初時,三星電子與日本AI創(chuàng)業(yè)公司Preferred Networks簽署合同,幫它生產(chǎn)2納米AI芯片。(小刀)

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    2024-12-20
    臺積電2納米芯片性能提升僅15%,知情人士稱試產(chǎn)良率超過60%
    明年4月臺積電會試產(chǎn)2納米芯片,大規(guī)模量產(chǎn)要等到下半年

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