10月11日消息(顏翊)日前,深圳市發(fā)改委發(fā)布《深圳市關(guān)于促進半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施(征求意見稿)》(以下簡稱《征求意見稿》)。
《征求意見稿》提出,要重點支持高端通用芯片、專用芯片和核心芯片、化合物半導(dǎo)體芯片等芯片設(shè)計;硅基集成電路制造;氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體制造;高端電子元器件制造;晶圓級封裝、三維封裝、Chiplet(芯粒)等先進封裝測試技術(shù);EDA工具、關(guān)鍵IP核技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用;光刻、刻蝕、離子注入、沉積、檢測設(shè)備等先進裝備及關(guān)鍵零部件生產(chǎn);以及核心半導(dǎo)體材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。
《征求意見稿》提出了全面提升產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)、加速突破基礎(chǔ)支撐環(huán)節(jié)、聚力增強產(chǎn)業(yè)發(fā)展動能、聚力增強產(chǎn)業(yè)發(fā)展動能、打造高水平特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)等幾大具體措施。
具體來看,對企業(yè)購買IP開展高端芯片研發(fā),給予IP購買實際支付費用最高20%的資助,單個企業(yè)每年總額不超過1000萬元。加快基于RISC-V等精簡指令集架構(gòu)的芯片研發(fā),對研發(fā)投入1000萬元(含1000萬元)以上的RISC-V芯片設(shè)計企業(yè),按照不超過研發(fā)投入的20%給予補助,每年最高1000萬元。對深圳企業(yè)銷售自研芯片,且單款銷售金額累計超過2000萬元的,按照不超過當(dāng)年銷售金額的15%給予獎勵,最高1000萬元。
對于使用多項目晶圓進行研發(fā)的深圳企業(yè),最高給予該款產(chǎn)品首輪掩膜版制作費用的50%和直接流片費用70%、年度總額不超過500萬元的補助;對于首次完成全掩膜工程產(chǎn)品流片的深圳企業(yè),最高給予該款產(chǎn)品首輪掩膜制作費用50%和流片費用50%,年度總額不超過700萬元的補助。
依托骨干企業(yè)加快半導(dǎo)體材料的研發(fā)生產(chǎn),按照不超過研發(fā)費用(含材料驗證測試費用)的40%給予補助,最高1000萬元。支持首批次新材料進入重點集成電路制造企業(yè)供應(yīng)鏈,按一定期限內(nèi)產(chǎn)品實際銷售總額給予研制單位不超過30%,最高2000萬元獎勵。
鼓勵企業(yè)進行集成電路關(guān)鍵設(shè)備及零部件研發(fā),推進檢測設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、高真空泵等高端設(shè)備部件和系統(tǒng)集成開展持續(xù)研發(fā)和技術(shù)攻關(guān),支持首臺套關(guān)鍵設(shè)備及零部件進入重點集成電路制造企業(yè)供應(yīng)鏈,按一定期限內(nèi)產(chǎn)品實際銷售總額給予研制單位不超過30%,最高2000萬元獎勵。大力引進國內(nèi)外設(shè)備及零部件領(lǐng)域龍頭企業(yè)落戶深圳,給予不超過3000萬元一次性落戶獎勵。
以下為《征求意見稿》全文:
深圳市關(guān)于促進半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施
(征求意見稿)
為貫徹落實黨中央、國務(wù)院關(guān)于集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略部署,推進我市半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)重點突破和整體提升,培育完善的產(chǎn)業(yè)生態(tài),增強產(chǎn)業(yè)核心競爭力,充分銜接《關(guān)于加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》(深府辦規(guī)〔2019〕4號),結(jié)合《深圳市培育發(fā)展半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)集群行動計劃(2022-2025年)》,按照精準(zhǔn)、可操作的原則,結(jié)合我市實際情況,制定以下措施。
一、適用機構(gòu)和重點支持領(lǐng)域
本措施適用于注冊地、統(tǒng)計地及納稅地均在深圳市的集成電路設(shè)計、制造、封裝測試、設(shè)備、材料企業(yè),或提供相關(guān)集成電路產(chǎn)業(yè)服務(wù)的企業(yè)、機構(gòu)或組織。本措施具體條款另有規(guī)定的除外。
本措施重點支持高端通用芯片、專用芯片和核心芯片、化合物半導(dǎo)體芯片等芯片設(shè)計;硅基集成電路制造;氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體制造;高端電子元器件制造;晶圓級封裝、三維封裝、Chiplet(芯粒)等先進封裝測試技術(shù);EDA工具、關(guān)鍵IP核技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用;光刻、刻蝕、離子注入、沉積、檢測設(shè)備等先進裝備及關(guān)鍵零部件生產(chǎn);以及核心半導(dǎo)體材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。
二、全面提升產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)
(一)實現(xiàn)核心芯片產(chǎn)品突破。重點突破CPU、GPU、DSP、FPGA等高端通用芯片的設(shè)計,布局人工智能芯片、邊緣計算芯片等專用芯片的開發(fā)。以5G通信產(chǎn)業(yè)為牽引,全面突破射頻前端芯片、基帶芯片、光電子芯片等核心芯片。聚焦智能“終端”等泛物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用,推動超低功耗專用芯片、NB-IoT芯片的快速產(chǎn)業(yè)化。對企業(yè)購買IP開展高端芯片研發(fā),給予IP購買實際支付費用最高20%的資助,單個企業(yè)每年總額不超過1000萬元。加快基于RISC-V等精簡指令集架構(gòu)的芯片研發(fā),對研發(fā)投入1000萬元(含1000萬元)以上的RISC-V芯片設(shè)計企業(yè),按照不超過研發(fā)投入的20%給予補助,每年最高1000萬元。對深圳企業(yè)銷售自研芯片,且單款銷售金額累計超過2000萬元的,按照不超過當(dāng)年銷售金額的15%給予獎勵,最高1000萬元。
(二)加強對設(shè)計企業(yè)流片支持。積極協(xié)調(diào)深圳支持建設(shè)的集成電路生產(chǎn)線和中試線開放一定產(chǎn)能,服務(wù)深圳中小設(shè)計企業(yè)的流片需求。支持集成電路設(shè)計企業(yè)加大新產(chǎn)品研發(fā)力度,重點支持集成電路設(shè)計企業(yè)流片和掩模版制作。對于使用多項目晶圓進行研發(fā)的深圳企業(yè),最高給予該款產(chǎn)品首輪掩膜版制作費用的50%和直接流片費用70%、年度總額不超過500萬元的補助;對于首次完成全掩膜工程產(chǎn)品流片的深圳企業(yè),最高給予該款產(chǎn)品首輪掩膜制作費用50%和流片費用50%,年度總額不超過700萬元的補助。
(三)提升半導(dǎo)體制造能力。加強與集成電路制造企業(yè)合作,規(guī)劃建設(shè)邏輯工藝和特色工藝集成電路生產(chǎn)線,支持建設(shè)高端片式電容器、電感器、電阻器等電子元器件生產(chǎn)線。支持代表新發(fā)展方向的半導(dǎo)體與集成電路制造重大項目落戶,鼓勵既有集成電路生產(chǎn)線改造升級。
(四)趕超高端封裝測試水平。加快MOSFET模塊等功率器件、高密度存儲器封裝技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,重點突破晶圓級、系統(tǒng)級、凸塊、倒裝、硅通孔、面板級扇出型、三維、真空、Chiplet(芯粒)等先進封裝核心技術(shù),以及脈沖序列測試、IC集成探針卡等先進晶圓級測試技術(shù),按照項目實際投資額的10%給予補助,單個項目不超過1000萬元。
(五)加速化合物半導(dǎo)體成熟。鼓勵通信設(shè)備、新能源汽車、電源系統(tǒng)、軌道交通、智能終端等領(lǐng)域企業(yè)推廣試用化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品,提升系統(tǒng)和整機產(chǎn)品的競爭力。對年度采購深圳設(shè)計或制造的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品金額達2000萬元(含)以上的企業(yè),按不超過采購金額的20%給予補助,每年最高500萬元。引導(dǎo)企業(yè)參與關(guān)鍵環(huán)節(jié)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)制定,搶占產(chǎn)業(yè)制高點,提升產(chǎn)品市場主導(dǎo)權(quán)和話語權(quán)。
三、加速突破基礎(chǔ)支撐環(huán)節(jié)
(六)加快EDA核心技術(shù)攻關(guān)。推動模擬、數(shù)字、射頻集成電路等EDA工具軟件實現(xiàn)全流程國產(chǎn)化。支持開展先進工藝制程、新一代智能、超低功耗等EDA技術(shù)的研發(fā)。加大國產(chǎn)EDA工具推廣應(yīng)用力度,鼓勵企業(yè)和科研機構(gòu)購買或租用國產(chǎn)EDA工具軟件,推動國產(chǎn)EDA工具進入高校課程教學(xué)。對購買國產(chǎn)EDA工具軟件的企業(yè)或科研機構(gòu),按照不超過實際支出費用的70%給予補助,每年最高1000萬元。對租用國產(chǎn)EDA工具軟件的企業(yè)或科研機構(gòu),按照不超過實際支出費用的50%給予補助,每年最高500萬元。
(七)推動關(guān)鍵材料自主可控。依托骨干企業(yè)加快光掩模、光刻膠、聚酰亞胺、濺射靶材、高純度化學(xué)試劑、電子氣體、蝕刻液、清洗劑、拋光液、電鍍液功能添加劑、氟化冷卻液、陶瓷粉體等半導(dǎo)體材料的研發(fā)生產(chǎn),按照不超過研發(fā)費用(含材料驗證測試費用)的40%給予補助,最高1000萬元。支持首批次新材料進入重點集成電路制造企業(yè)供應(yīng)鏈,按一定期限內(nèi)產(chǎn)品實際銷售總額給予研制單位不超過30%,最高2000萬元獎勵。
(八)突破核心設(shè)備及零部件配套。鼓勵我市企業(yè)進行集成電路關(guān)鍵設(shè)備及零部件研發(fā),推進檢測設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、高真空泵等高端設(shè)備部件和系統(tǒng)集成開展持續(xù)研發(fā)和技術(shù)攻關(guān),支持首臺套關(guān)鍵設(shè)備及零部件進入重點集成電路制造企業(yè)供應(yīng)鏈,按一定期限內(nèi)產(chǎn)品實際銷售總額給予研制單位不超過30%,最高2000萬元獎勵。大力引進國內(nèi)外設(shè)備及零部件領(lǐng)域龍頭企業(yè)落戶深圳,給予不超過3000萬元一次性落戶獎勵。
(九)加大關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)支持力度。進一步增強深圳集成電路產(chǎn)業(yè)核心競爭力,提升產(chǎn)業(yè)整體自主創(chuàng)新能力,打破重大關(guān)鍵核心技術(shù)受制于人的局面,對我市集成電路產(chǎn)業(yè)重點領(lǐng)域、優(yōu)先主題、重點專項的關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)予以資助。引導(dǎo)企業(yè)加大研發(fā)投入,對符合條件、開展研究開發(fā)活動的深圳集成電路企業(yè),給予研究開發(fā)費用補助。對于新引進投資300萬元以上的集成電路企業(yè)給予房租補貼。
四、聚力增強產(chǎn)業(yè)發(fā)展動能
(十)積極承擔(dān)國家專項戰(zhàn)略任務(wù)。鼓勵有關(guān)單位承擔(dān)國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部、科學(xué)技術(shù)部等部委開展的集成電路領(lǐng)域重大項目、重大技術(shù)攻關(guān)計劃和重點研發(fā)計劃。根據(jù)國撥資金撥付進度,給予不超過1:1的資金配套,總額不超過項目總投資的30%。對重點核心企業(yè)提出的能夠解決集成電路產(chǎn)業(yè)鏈“卡脖子”問題,但未獲得國家資金的重大項目,根據(jù)企業(yè)自籌資金投入情況,可分階段給予不超過30%的配套資金支持。對于成功申報國家產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、國家制造業(yè)創(chuàng)新中心、國家技術(shù)創(chuàng)新中心的,予以1:1配套支持。
(十一)支持企業(yè)做大做強。助力企業(yè)快速發(fā)展,提高市場占有率,不斷做大產(chǎn)業(yè)規(guī)模。對年度營業(yè)收入首次突破1億元、3億元、5億元、10億元的深圳集成電路EDA、IP及設(shè)計企業(yè),分別給予企業(yè)核心團隊500萬元、700萬元、1000萬元和1200萬元的一次性獎勵。對年度營業(yè)收入首次突破10億元、20億元、50億元、100億元的深圳集成電路制造、封裝測試、關(guān)鍵裝備和材料企業(yè),分別給予企業(yè)核心團隊500萬元、700萬元、1000萬元和1200萬元的一次性獎勵。
(十二)強化產(chǎn)業(yè)支撐平臺建設(shè)。建設(shè)集成電路領(lǐng)域制造業(yè)創(chuàng)新中心、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、IC設(shè)計平臺、設(shè)備材料研發(fā)中心、檢測認(rèn)證中心等公共服務(wù)平臺,以骨干企業(yè)、科研機構(gòu)為依托,聯(lián)合上下游企業(yè)和高校、科研院所等構(gòu)建中小企業(yè)孵化平臺,對符合我市產(chǎn)業(yè)布局要求并經(jīng)市級認(rèn)定的平臺,按不超過平臺建設(shè)費用的40%給予補助,最高3000萬元。平臺建成后,根據(jù)運營服務(wù)情況,按每年不超過1500萬元給予補助。
(十三)完善產(chǎn)業(yè)投融資環(huán)境。探索設(shè)立市級集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金,重點支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。支持符合條件的企業(yè)通過融資貸款、融資租賃參與項目建設(shè)和運營,按照實際貸款或融資部分最高2.5個百分點進行貼息,貼息年限最長不超過5年。支持企業(yè)充分利用主板、創(chuàng)業(yè)板、科創(chuàng)板等多層次資本市場上市融資發(fā)展,按上市掛牌進程分階段給予不超過1500萬元的補助。支持保險機構(gòu)參與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,引導(dǎo)保險資金開展股權(quán)投資。
(十四)促進進出口貿(mào)易快速增長。搭建覆蓋通關(guān)全過程的信息互通和監(jiān)管平臺,優(yōu)化和簡化集成電路產(chǎn)品的進出口環(huán)節(jié)和程序,建立本市集成電路企業(yè)、科研機構(gòu)等試點單位“白名單”,便利試點單位通關(guān)。建立集成電路重點商品進口指導(dǎo)目錄,對企業(yè)進口自用集成電路生產(chǎn)性原材料、消耗品,凈化室專用建筑材料、配套系統(tǒng)和集成電路生產(chǎn)設(shè)備及零配件等目錄所列商品,且年度累計進口金額超過5000萬元的,按照進口金額的5%給予補貼,每年最高500萬元。嚴(yán)格落實國家集成電路企業(yè)稅收優(yōu)惠政策,對集成電路重大項目進口新設(shè)備,準(zhǔn)予分期繳納進口環(huán)節(jié)增值稅。
(十五)支持行業(yè)組織發(fā)揮橋梁作用。成立聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈上下游的半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟,不斷匯聚和融合全球產(chǎn)業(yè)資源和力量,提升深圳半導(dǎo)體與集成電路整體競爭力。支持產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、行業(yè)協(xié)會等社會組織發(fā)展,按項目擇優(yōu)給予最高500萬元資助。對經(jīng)認(rèn)定的聯(lián)盟、協(xié)會等社會組織,每年按照實際租金及物業(yè)服務(wù)管理費的50%予以補貼,可連續(xù)補貼3年,每年最高不超過100萬元。在招商引資方面有突出貢獻的給予招商引資獎勵。
五、構(gòu)建高質(zhì)量人才保障體系
(十六)加強人才激勵保障。充分發(fā)揮市場調(diào)節(jié)作用,突出以用為本、市場認(rèn)可、市場評價,以人才市場價值、經(jīng)濟貢獻為主要評價標(biāo)準(zhǔn),建立與人才市場價值、經(jīng)濟貢獻掛鉤的市場化激勵機制,重點支持引進和留住一線研發(fā)人員,工程技術(shù)骨干及中高層管理人員,個人獎勵金額最高不超過500萬元。對在列入國家鼓勵的重點集成電路企業(yè)清單單位從事基礎(chǔ)研究、核心技術(shù)研發(fā)的人才,給予一定年限的穩(wěn)定支持。對市行業(yè)主管部門認(rèn)定的集成電路重點單位,優(yōu)先給予人才住房配額。
(十七)實施集成電路全球人才回溯計劃。加快從重點國家(地區(qū))靶向引進全球高端人才、創(chuàng)新團隊和管理團隊。設(shè)立海外人才引進服務(wù)機構(gòu)與海外人才歸國綠色通道,拉通海外集成電路高層次人才“選引用留”全流程服務(wù)機制,提供全程代辦服務(wù),為高層次人才發(fā)放“鵬城優(yōu)才卡”,人才憑卡可直接辦理子女入學(xué)、人才住房、醫(yī)療保健、獎勵補貼申報等業(yè)務(wù)。
(十八)產(chǎn)學(xué)聯(lián)動培養(yǎng)各層次專業(yè)人才。大力發(fā)揮企業(yè)在人才培養(yǎng)中的作用,加快推進產(chǎn)教融合,鼓勵有條件的高校(含技師學(xué)院)采取與集成電路企業(yè)合作的方式共建高技能人才培訓(xùn)基地,經(jīng)認(rèn)定符合條件的培訓(xùn)基地項目,按照不超過基地建設(shè)投入的20%給予一次性補助,最高2000萬元。加強高校(含技師學(xué)院)專業(yè)建設(shè),擴大半導(dǎo)體專業(yè)招生規(guī)模,重點培養(yǎng)一批高層次、復(fù)合型人才。
六、打造高水平特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)
(十九)優(yōu)化產(chǎn)業(yè)空間供給。由市產(chǎn)業(yè)主管部門統(tǒng)籌,半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)集群重點區(qū)負責(zé)對每年的產(chǎn)業(yè)用地和產(chǎn)業(yè)用房指標(biāo)予以量化,保證全市半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)每年新增或升級改造20萬平米產(chǎn)業(yè)用地或50萬平米產(chǎn)業(yè)用房供給。采用“容缺受理”“并聯(lián)審批”模式,提前開展用地選址預(yù)審,同步審定項目遴選方案和產(chǎn)業(yè)發(fā)展監(jiān)管協(xié)議,提高審批效率加快土地出讓。
(二十)加大特色園區(qū)建設(shè)支持力度。對經(jīng)認(rèn)定的新建或已有產(chǎn)業(yè)空間改造的特色產(chǎn)業(yè)園區(qū),在立項、注冊、審批環(huán)節(jié)開通綠色通道,就近配套道路、供水、排污、排水、電訊光纜、供電、天然氣和土地平整等“八通一平”基礎(chǔ)設(shè)施。根據(jù)實際需要,建設(shè)跨區(qū)域的雙回路供電備份設(shè)施,滿足集成電路制造企業(yè)高強度、不間斷電力供應(yīng)需求。
(二十一)加強環(huán)保配套措施。對于擬建設(shè)的特色園區(qū),由市、區(qū)環(huán)保主管部門組成工作專班,一對一提供環(huán)保專業(yè)指導(dǎo)服務(wù)。完善園區(qū)環(huán)境基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),鼓勵園區(qū)加大配套固體、液體和氣體污染物處理設(shè)施、環(huán)境監(jiān)測、環(huán)境風(fēng)險應(yīng)急防控、環(huán)境信息化等方面的投入,按照不超過建設(shè)費用的50%給予補助,最高2000萬元。
七、附則
本措施由深圳市發(fā)展和改革委員會負責(zé)解釋,執(zhí)行期間如遇國家、省、市有關(guān)政策及規(guī)定調(diào)整的,本措施可進行相應(yīng)調(diào)整。各責(zé)任單位應(yīng)當(dāng)及時制定出臺實施細則或操作規(guī)程。鼓勵各區(qū)、各產(chǎn)業(yè)園區(qū)根據(jù)各自產(chǎn)業(yè)規(guī)劃布局特點獨立制定補充配套措施。本措施與市區(qū)兩級其他同類優(yōu)惠措施,由企業(yè)按照就高不就低的原則自主選擇申報,不重復(fù)資助,已按市、區(qū)兩級“一事一議”享受政策支持的,本措施不再予以支持。
本措施自2022年X月X日起生效,有效期5年。
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