據(jù)韓媒TheElec報(bào)道，三星和韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）已就FinFET技術(shù)專利訴訟達(dá)成和解。
圖源：TheElec
據(jù)悉，涉案的FinFET專利允許芯片在提高性能的同時(shí)降低功率，最初由KAIST和首爾國立大學(xué)教授Lee Jong-ho合作開發(fā)，并于2001年在美國和韓國獲得了該項(xiàng)技術(shù)的專利。
KAIST于2016年11月29日在美國德克薩斯州地方法院對(duì)三星、高通和Global Founderies提起訴訟，指控他們?cè)谖唇?jīng)許可的情況下使用了其FinFET專利。2018年6月，陪審團(tuán)裁定三星的侵權(quán)金額達(dá)4億美元。
此外，KAIST于2019年2月再次起訴三星，聲稱盡管有之前的判決，三星仍在繼續(xù)侵犯專利。并指出三星在其應(yīng)用處理器中使用的14、11、10、8和7nm FinFET技術(shù)侵犯了其專利，將三星自2016年起推出的智能手機(jī)列為侵權(quán)產(chǎn)品。
今年2月，法院裁決三星賠償2億美元。不過現(xiàn)在三星和KAIST已達(dá)成和解，交易的詳細(xì)條款還尚未得知。 
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