三星與長江存儲攜手創(chuàng)新，混合鍵合技術(shù)助力NAND可靠性提升

隨著科技的飛速發(fā)展，存儲技術(shù)也在不斷進(jìn)步。近日，三星電子與長江存儲達(dá)成了一項(xiàng)3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，這一消息引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。本文將圍繞這一主題，以中立的態(tài)度，深入探討混合鍵合技術(shù)對NAND可靠性的提升作用，并揭示這一新合作帶來的新篇章。

首先，讓我們回顧一下背景信息。三星電子與長江存儲共同研發(fā)的混合鍵合技術(shù)，通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接，從而縮短了電氣路徑，提高了性能和散熱能力，同時(shí)優(yōu)化了生產(chǎn)效率。這一技術(shù)在3D NAND制造中得到了廣泛應(yīng)用，并被命名為“晶?！?。長江存儲通過全面的專利布局，掌握了這一技術(shù)的關(guān)鍵專利。

在此背景下，三星電子決定引入W2W混合鍵合技術(shù)，預(yù)計(jì)在2025年下半年開始量產(chǎn)下一代V10 NAND。這將有望解決隨著層數(shù)增加帶來的底層外圍電路壓力問題，從而提高芯片的可靠性。這一技術(shù)的引入，無疑將為NAND產(chǎn)品的發(fā)展注入新的活力。

值得注意的是，除了三星電子，全球其他存儲器制造商如SK海力士也在積極開發(fā)適用于400層以上NAND產(chǎn)品的混合鍵合技術(shù)。未來他們也可能需要與長江存儲簽訂專利授權(quán)協(xié)議。這一趨勢預(yù)示著混合鍵合技術(shù)將在全球存儲器產(chǎn)業(yè)中得到更廣泛的應(yīng)用。

然而，專利許可協(xié)議的達(dá)成并不意味著問題的結(jié)束。業(yè)界人士指出，目前掌握3D NAND混合鍵合關(guān)鍵專利的公司包括美國的Xperi、中國的長江存儲和中國臺灣的臺積電。這意味著三星幾乎無法繞過長江存儲的專利布局。因此，三星選擇了通過專利授權(quán)的方式來達(dá)成協(xié)議，以此來降低未來可能出現(xiàn)的法律和市場風(fēng)險(xiǎn)，并加速其技術(shù)研發(fā)進(jìn)程。這一策略顯示出三星對市場動態(tài)的敏銳洞察力以及對未來競爭格局的充分預(yù)見。

總的來說，三星與長江存儲的這一合作不僅將推動混合鍵合技術(shù)的發(fā)展，更將為NAND產(chǎn)品的可靠性提升帶來新的可能。這一創(chuàng)新性的合作不僅展示了雙方在技術(shù)研發(fā)上的決心和實(shí)力，也預(yù)示著存儲器產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的新方向。

展望未來，隨著V10、V11、V12等后續(xù)NAND產(chǎn)品的開發(fā)，三星仍可能會依賴長江存儲的專利技術(shù)。這不僅體現(xiàn)了雙方在技術(shù)創(chuàng)新上的緊密聯(lián)系，也展示了知識產(chǎn)權(quán)在推動科技進(jìn)步中的重要作用。在這個(gè)過程中，知識產(chǎn)權(quán)的合理利用和尊重將成為雙方持續(xù)合作的重要基礎(chǔ)。

此外，這一合作還體現(xiàn)了雙方在面對技術(shù)挑戰(zhàn)時(shí)的合作精神。在層數(shù)增加帶來的壓力下，雙方選擇共同應(yīng)對，通過引入新的技術(shù)來提升NAND產(chǎn)品的可靠性。這種合作精神不僅將推動技術(shù)的發(fā)展，也將為業(yè)界樹立一個(gè)典范。

總的來說，三星與長江存儲的這一合作是雙方在技術(shù)創(chuàng)新上的重要一步，也是存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要一環(huán)。通過混合鍵合技術(shù)的引入和應(yīng)用，雙方將共同推動NAND產(chǎn)品的可靠性提升，為業(yè)界帶來新的可能性和機(jī)遇。我們期待著這一新合作帶來的新篇章，并相信在雙方的共同努力下，未來的存儲器產(chǎn)業(yè)將更加繁榮昌盛。

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