上世紀八十年代，東芝發(fā)明了閃存。NOR閃存問世較早，而現(xiàn)在應用更廣泛的則是稍晚些時候出現(xiàn)的NAND型閃存。他們之間有什么區(qū)別，NOR閃存現(xiàn)在還存在嗎?

NOR閃存

相比NAND的閃存，NOR閃存的容量偏小，但是讀取速度很快，但是寫入和擦除的速度偏慢。

NOR閃存允許隨機存取存儲器上的任何區(qū)域，可以支持XIR(eXecute In Place)片內(nèi)執(zhí)行，在一些簡單功能的設備當中，代碼可以無需事先加載到DRAM內(nèi)存，而是直接在NOR閃存內(nèi)執(zhí)行，正是由于這個特別的優(yōu)勢，現(xiàn)在NOR目前并沒有因為容量上的劣勢而消失。

除了主板BIOS之外，電腦當中的NOR閃存還存在于一些早期型號的固態(tài)硬盤當中。下圖當中紅色圈內(nèi)的就是一顆SPI接口的NOR閃存，主要用于存儲固態(tài)硬盤的固件。黃色圈內(nèi)的則是東芝NAND型閃存顆粒，是固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)存儲部件。

NAND閃存

1989年，東芝公司發(fā)表了NAND閃存結(jié)構(gòu)，每比特的成本降低的同時擁有更高的性能，擦除壽命也比NOR閃存高出很多。

不過NAND閃存的I/O接口沒有可供隨機存取的外部地址總線，它必須以區(qū)塊性的方式進行讀取，相對更高的錯誤率也需要ECC糾錯引擎的幫助，這些特點使得NAND閃存不能直接與CPU通信，而是需要有特定的控制器，也就是我們在固態(tài)硬盤當中見到的主控。下圖是東芝TR200固態(tài)硬盤的TC58NC1010GSB主控芯片：

在很長的一段時間里，閃存和CPU一樣利用制程微縮不斷發(fā)展，同時還依靠SLC、MLC到TLC的方式增加存儲密度，提升閃存容量并降低成本。從數(shù)碼相機、存儲卡擴展到更大容量的固態(tài)硬盤，逐漸普及到每一臺家用電腦。下圖是東芝在2007年使用56nm工藝制造的8Gb NAND閃存。

直到在1x nm工藝時陷入瓶頸，由于尺寸的縮小，閃存單元浮柵層當中能夠容納的電子數(shù)量降低到了一個危險的水平，使得存儲在閃存當中的數(shù)據(jù)更加容易出錯。同時，由于隧道氧化層不斷變薄，閃存的擦寫壽命也下降了。

早在2007年，作為閃存世界的締造者，東芝就預見到了這種情況，并宣布了全球首個三維閃存技術(東芝存儲器官網(wǎng)介紹)，也就是現(xiàn)在的BiCS Flash。

BiCS Flash使用Charge Trap取代了2D時代的Floating Gate結(jié)構(gòu)，并將其改造為可在垂直方向堆疊的形態(tài)。

BiCS三維閃存的問世使得閃存發(fā)展重新充滿了生機，更大的存儲單元體積能夠容納更多的電子，閃存的耐久度以及可靠性得到大幅的提升。

提升閃存單元在垂直方向的堆疊層數(shù)，即可擴展BiCS閃存的存儲密度。

同時，BiCS三維閃存也可以像過去2D平面閃存那樣將多個閃存芯片堆疊起來封裝到同一個顆粒當中，實現(xiàn)更高的閃存容量。

為降低干擾，東芝還率先在3D閃存當中應用先進的TSV硅通孔技術取代過去引線鍵合工藝，提高了閃存的可靠性。

除了BiCS三維閃存之外，東芝還在今年宣布了3D XL高性能閃存，通過使用更短的位線和字線，并設計更多的Plane平面來實現(xiàn)將閃存延遲降低十倍的目標，滿足未來企業(yè)級高性能計算對于閃存的需求。

生成海報

免責聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準確性及可靠性，但不保證有關資料的準確性及可靠性，讀者在使用前請進一步核實，并對任何自主決定的行為負責。本網(wǎng)站對有關資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負任何法律責任。任何單位或個人認為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識產(chǎn)權或存在不實內(nèi)容時，應及時向本網(wǎng)站提出書面權利通知或不實情況說明，并提供身份證明、權屬證明及詳細侵權或不實情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯(lián)系相關文章源頭核實，溝通刪除相關內(nèi)容或斷開相關鏈接。