原標(biāo)題：第一代10nm出爐，國產(chǎn)DDR4內(nèi)存量產(chǎn)！

9月20日，2019世界制造業(yè)大會(huì)拉開序幕，在大會(huì)上，專注內(nèi)存研發(fā)生產(chǎn)的合肥長鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長鑫內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目投產(chǎn)，將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代10nm級8Gb DDR4內(nèi)存。

根據(jù)合肥長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明介紹，該項(xiàng)目以打造設(shè)計(jì)和制造一體化的內(nèi)存芯片國產(chǎn)化制造基地為目標(biāo)，2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產(chǎn)投與細(xì)分存儲器國產(chǎn)領(lǐng)軍企業(yè)兆易創(chuàng)新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業(yè)項(xiàng)目。

朱一明表示，“投產(chǎn)的8Gb DDR4通過了多個(gè)國內(nèi)外大客戶的驗(yàn)證，今年底正式交付，另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。”

對于此前外界最為關(guān)心的良率問題，合肥長鑫沒有公布具體的數(shù)據(jù)，但是宣稱其10nm級內(nèi)存已經(jīng)獲得工信部旗下檢測機(jī)構(gòu)中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測報(bào)告。

在昨天的中國閃存技術(shù)峰會(huì)上，合肥長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士發(fā)表了主題演講，指出合肥長鑫已將奇夢達(dá)的46nm內(nèi)存工藝技術(shù)水平提升到了10nm級別。

在我國去年進(jìn)口的3000多億美元的芯片中，DRAM內(nèi)存芯片占比最高，占到了20%以上。

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