原標題:第二代EUV光刻機曝光,手機芯片工藝升級至1納米?
近日,有韓媒報道稱,全球最著名的光刻機公司ASML公司正積極投資研發(fā)下一代EUV光刻機,這標志著,半導體制造工藝又或要升級一個新臺階,CPU芯片、手機芯片等不久后又要升級換代了?
據(jù)悉,與現(xiàn)有的光刻機相比,第二代EUV光刻機最大的變化就是High NA(高數(shù)值孔徑)透鏡,而通過提升透鏡規(guī)格使得新一代光刻機的微縮分辨率、套準精度兩大光刻機核心指標提升70%,達到業(yè)界對幾何式芯片微縮的要求。
而據(jù)之前ASML公司公布消息顯示,ASML新一代EUV光刻機的量產(chǎn)時間是2024年,盡管最新的報道稱下一代EUV光刻機2025年量產(chǎn),但相比現(xiàn)在的EUV光刻機僅能量產(chǎn)7nm產(chǎn)品的情況下,已經(jīng)是劃時代的進步了。消息顯示,在第二代EUV光刻機真正出現(xiàn)時,臺積電、三星已經(jīng)量產(chǎn)3nm工藝,甚至開始進軍2nm、1nm產(chǎn)品階段了。
目前,全球最先進的光刻機就是荷蘭ASML公司生產(chǎn)的EUV光刻機,每臺售價超過1億美元,而且供不應求。據(jù)悉,2016年,ASML公司斥資20億美元收購德國蔡司公司25%的股份,并投資數(shù)億美元合作研發(fā)新一代透鏡,而ASM公司L這么大手筆投資光學鏡頭公司就是為了研發(fā)新一代EUV光刻機。
2018年10月,ASML公司又與IMEC比利時微電子中心合作研發(fā)新一代EUV光刻機,目標是將NA從0.33提升到0.5以上,而從光刻機的分辨率公式——光刻機分辨率=k1*λ/NA中可以看出,NA數(shù)字越大,光刻機分辨率越高,所以提高NA數(shù)值孔徑是下一代EUV光刻機的關鍵。
我們知道,在半導體制造過程中,最復雜也是最難的步驟就是光刻,成本能占到整個生產(chǎn)過程的1/3,因此,光刻機成為最重要的半導體制造裝備。2019年,臺積電、三星開始量產(chǎn)7nm EUV工藝產(chǎn)品。而到2020年,5nm開始量產(chǎn),EUV光刻機或許又面臨一次升級。
除此之外,中國內(nèi)地最大的芯片代工企業(yè)中芯國際在2018年就成功預定了一臺ASML的7nm EUV(極紫外)光刻機。當時,ASML負責人在公司財報會上透露稱,2019年要出貨30臺EUV設備,這對于正在積極發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè)的中國市場來說是個很好的消息。但截至目前,并沒有那么多數(shù)量的EUV光刻機賣給中國公司。
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