美國當?shù)貢r間11月26日，英特爾公司宣布，美國商務部和英特爾已根據《美國芯片與科學法案》達成最終協(xié)議，向英特爾提供78.6億美元的直接撥款。

據了解，該撥款將支持英特爾在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州推進關鍵的半導體制造和先進封裝項目，加上25%的投資稅收抵免，將共同支持英特爾在美國超過1000億美元的投資計劃。

此次宣布的對英特爾資助計劃，將增強英特爾的技術和創(chuàng)新能力，確保英特爾繼續(xù)推動半導體產業(yè)的進步和發(fā)展，并支持全球半導體制造和研發(fā)。?

在代工業(yè)務進展與技術領先性方面，目前，Intel 3制程已經進入大規(guī)模生產，Intel 18A制程也將于明年緊隨其后量產，標志著即將完成一項歷史性的半導體制程節(jié)點開發(fā)，使英特爾重獲制程工藝領先地位。

此外，英特爾在先進半導體制造方面已實現(xiàn)了一項重要里程碑——完成了業(yè)界首臺商用高數(shù)值孔徑極紫外（High NA EUV）光刻機的安裝，并在俄勒岡州希爾斯伯勒的研發(fā)基地完成了另一臺高數(shù)值孔徑光刻機的安裝。這將使英特爾能夠推動下一代芯片制造尖端技術。

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