[據(jù)IBM公司2015年7月9日報(bào)道] IBM公司日前宣布，該公司已經(jīng)生產(chǎn)出半導(dǎo)體工業(yè)首片7納米工藝節(jié)點(diǎn)測試芯片，芯片內(nèi)包含200億可以實(shí)際工作的晶體管。

為了將半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展到7納米工藝節(jié)點(diǎn)，使芯片性能更高、功耗更低，IBM公司采用了全新的鍺硅溝道晶體管技術(shù)和極紫外光刻技術(shù)。

該研究是IBM公司2014年啟動(dòng)的投資30億美元、為期5年的芯片研發(fā)計(jì)劃的一部分，其合作團(tuán)隊(duì)包括紐約州立大學(xué)、格羅方德公司、三星公司以及多家半導(dǎo)體工藝設(shè)備供應(yīng)商。

目前的微處理器采用22納米和14納米工藝技術(shù)。IBM公司的這一成就跨越了仍有待進(jìn)一步成熟的10納米半導(dǎo)體技術(shù)。與10納米半導(dǎo)體技術(shù)相比，IBM公司的7納米芯片有望實(shí)現(xiàn)芯片面積縮小50%,功耗性能比提高50%,將有助于大數(shù)據(jù)、云計(jì)算和移動(dòng)計(jì)算等技術(shù)的發(fā)展。

IBM公司實(shí)現(xiàn)7納米工藝節(jié)點(diǎn)這一里程碑成就，建立在該公司以往對硅和半導(dǎo)體技術(shù)一系列創(chuàng)新的基礎(chǔ)上。這些創(chuàng)新包括：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器、登納德等比例微縮定律、化學(xué)放大式光阻、銅連線、絕緣體上硅、應(yīng)變工程、多核微處理器、浸入式光刻、高遷移率鍺硅材料、高介電常數(shù)柵材料、嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器、三維芯片堆疊以及氣隙絕緣等技術(shù)。（工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所  王?。?/p>

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