據(jù)臺積電聯(lián)席CEO劉德音(Mark Liu)披露，臺積電位于南京的300mm晶圓廠將于2018年5月份投入量產(chǎn)，比原計劃的2018年下半年提前了一個季度還要多。
臺積電南京晶圓廠于2016年7月份破土動工，2017年9月份開始設(shè)備安裝，將會引入16nm FinFET制造工藝，并在南京設(shè)立一個設(shè)計服務(wù)中心來吸引客戶訂單。
這是臺積電目前已量產(chǎn)的第二高級的工藝，僅次于10nm FinFET——按照相關(guān)政策，最先進的工藝是不允許引入內(nèi)地的。
即便如此，這也將成為內(nèi)地最先進的工藝——目前內(nèi)地最好的還是28nm，最流行的依然是40/45nm。
劉德音還表示，除了高性能計算、IoT物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、移動設(shè)備，臺積電未來還會專注于AI人工智能、5G設(shè)備平臺，并且正與大量客戶密切溝通，計劃用12nm、10nm、7nm工藝制造AI和機器學(xué)習(xí)芯片。
使用新的7nm工藝，臺積電還為40多家客戶研發(fā)了5G相關(guān)新品，將于2018年量產(chǎn)。
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