6月14日消息（苡臻）日前，在圣何塞舉行的三星晶圓代工論壇上，三星更新了其半導(dǎo)體工藝路線圖，目標(biāo)是在 2027 年實(shí)現(xiàn)第四代 2nm 芯片的大規(guī)模生產(chǎn)，并在 2025 年量產(chǎn)升級(jí)版 4nm 硅芯片。

據(jù)了解，三星的2nm工藝路線涵蓋了多個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，首推SF2，隨后將依次推出SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A。第一代 2nm工藝 SF2 將于 2025 年開始，升級(jí)版 SF2P 將于 2026 年準(zhǔn)備就緒。

第四代SF2Z 工藝節(jié)點(diǎn)將于 2027 年投入量產(chǎn)，將采用先進(jìn)的背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)，以提高能效并降低溫度。

此外，新的 SF4U 工藝被稱為高價(jià)值 4 nm變體，利用 “光學(xué)收縮 ”技術(shù)提高了功率、性能和面積，計(jì)劃于 2025 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

三星晶圓代工業(yè)務(wù)總裁 Choi Si-young 表示，在圍繞AI的眾多技術(shù)不斷發(fā)展的今天，高性能、低功耗半導(dǎo)體至關(guān)重要。他提到，三星計(jì)劃引入集成化、共封裝光學(xué)技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)高速、低功耗數(shù)據(jù)處理。

三星還指出，其全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管架構(gòu)在性能和良率方面正日趨成熟。1.4 nm工藝（SF1.4）的準(zhǔn)備工作 “進(jìn)展順利，性能和良率目標(biāo)均已如期實(shí)現(xiàn)”，并補(bǔ)充說(shuō)，公司正在通過(guò)材料和結(jié)構(gòu)創(chuàng)新 “積極塑造 ”未來(lái)低于 1.4 nm的工藝技術(shù)。

另外，一份來(lái)自行業(yè)研究機(jī)構(gòu)TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示，第一季度三星在代工市場(chǎng)的份額同比持平，為 11%，而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電（TSMC）則占據(jù)了 61.7%。

今年 2 月，三星獲得了日本初創(chuàng)公司 Preferred Networks 的 2nm AI芯片生產(chǎn)合同。而在上個(gè)月，為在高帶寬內(nèi)存芯片領(lǐng)域趕超競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK海力士，三星更換了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)主管。

生成海報(bào)

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來(lái)自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請(qǐng)進(jìn)一步核實(shí)，并對(duì)任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對(duì)有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁(yè)或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí)，應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實(shí)情況說(shuō)明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。