10月9日消息（南山）英特爾實驗室展示了迄今為止業(yè)界最高的硅自旋量子比特芯片的報告產(chǎn)量和均勻性，這些芯片是在英特爾的晶體管研發(fā)設施開發(fā)的。這一成就代表了在英特爾晶體管制造工藝上擴大規(guī)模和努力制造量子芯片的一個重要里程碑。

這項研究是使用英特爾的第二代硅自旋測試芯片進行的。通過使用英特爾低溫探針(在低溫(1.7 K或-271.45攝氏度)下運行的量子點測試設備，該團隊分離出12個量子點和4個傳感器。這是業(yè)界最大的硅電子自旋器件，在整個300 mm硅晶圓的每個位置都有一個電子。

英特爾的研究表明，使用極紫外（EUV）光刻技術制造的芯片顯示出顯著的均勻性，整個晶圓的良率達到95%。低溫探針的使用以及強大的軟件自動化能力，使最后一個電子的900多個單量子點和400多個雙量子點，可以在不到24小時內(nèi)、絕對零度以上被表征出來。

與以前的英特爾測試芯片相比，這種在低溫下表征的芯片產(chǎn)量和均勻性的提高，這意味著硅自旋量子比特芯片已經(jīng)非常接近量產(chǎn)，向商業(yè)量子計算機所需的數(shù)千或潛在的數(shù)百萬量子比特擴展的關鍵一步。

英特爾量子硬件總監(jiān)James Clarke表示：英特爾繼續(xù)在利用自己的晶體管制造技術制造硅自旋量子比特方面取得進展。實現(xiàn)的高良率和一致性表明，在英特爾已建立的晶體管工藝節(jié)點上制造量子芯片是一項明智的戰(zhàn)略，是隨著技術商業(yè)化的成熟而取得成功的有力標志。

2022年10月5日，這項研究成果在加拿大魁北克舉行的2022年硅量子電子研討會上公布。

生成海報

免責聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準確性及可靠性，但不保證有關資料的準確性及可靠性，讀者在使用前請進一步核實，并對任何自主決定的行為負責。本網(wǎng)站對有關資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負任何法律責任。任何單位或個人認為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識產(chǎn)權或存在不實內(nèi)容時，應及時向本網(wǎng)站提出書面權利通知或不實情況說明，并提供身份證明、權屬證明及詳細侵權或不實情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯(lián)系相關文章源頭核實，溝通刪除相關內(nèi)容或斷開相關鏈接。