6月30日消息（南山）據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星電子今日正式投產(chǎn)GAA架構(gòu)的3nm工藝芯片制造，為趕超臺(tái)積電奠定基礎(chǔ)。報(bào)道稱，GAA架構(gòu)優(yōu)于當(dāng)前廣泛使用的FinFET架構(gòu)。

臺(tái)積電此前宣布在今年下半年量產(chǎn)3nm工藝。這意味著，三星首次在先進(jìn)工藝層面反超臺(tái)積電。此外，英特爾預(yù)計(jì)在明年下半年量產(chǎn)3nm工藝芯片。

這一工廠投產(chǎn)也打破了業(yè)界的大量猜疑。此前臺(tái)灣業(yè)界就認(rèn)為，三星可能因?yàn)?nm良率過低，而不得不延后量產(chǎn)。

客觀來說，這一猜疑具有歷史基礎(chǔ)。三星一直努力追趕臺(tái)積電的先進(jìn)工藝，但步伐太大，良率時(shí)不時(shí)成為隱患。在晶圓代工市場，三星也大幅落后于臺(tái)積電的份額。

對(duì)于三星的突破性進(jìn)展，臺(tái)積電表示不予評(píng)論。據(jù)稱，臺(tái)積電基于FinFET架構(gòu)的3nm工藝將進(jìn)入量產(chǎn)階段，并搭配FINLEX架構(gòu)。此外，2nm工藝預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)。

數(shù)據(jù)顯示，三星芯片制造60%產(chǎn)能供給集團(tuán)旗下公司。預(yù)計(jì)本次3nm產(chǎn)能也不例外，將優(yōu)先三星集團(tuán)使用。

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