(馬秋月/文)3月10日消息,今天長(zhǎng)飛光纖光纜股份有限公司發(fā)布關(guān)于對(duì)外投資的公告,公告稱:已經(jīng)在3月8日組建了競(jìng)買聯(lián)合體,報(bào)名參與在安徽長(zhǎng)江產(chǎn)權(quán)交易所公開掛牌的《蕪湖太赫茲工程中心有限公司與蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司合并重組整體交易方案》的競(jìng)標(biāo)。其中,長(zhǎng)飛公司及公司全資子公司武漢睿芯投資管理有限公司出資人民幣約 78,000 萬元、競(jìng)買聯(lián)合體出資約人民幣 142,967 萬元。
本次交易完成后,長(zhǎng)飛將直接持有啟迪半導(dǎo)體約34.92%的股權(quán)、通過太赫茲投資中心和太赫茲投資基金間接持有啟迪半導(dǎo)體約2.18%的股權(quán),合計(jì)持有啟迪半導(dǎo)體約37.10%的股權(quán),啟迪半導(dǎo)體將成為長(zhǎng)飛子公司,太赫茲工程中心將成為啟迪半導(dǎo)體子公司,均納入長(zhǎng)飛合并財(cái)務(wù)報(bào)表范圍內(nèi)。
如今,隨著客戶需求的變化,以及企業(yè)自身發(fā)展的需要,長(zhǎng)飛在鞏固傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品的同時(shí),大力發(fā)展多元化業(yè)務(wù),此次交易也是長(zhǎng)飛多元化舉措的重要布局。
據(jù)了解,啟迪半導(dǎo)體及蕪湖太赫茲工程中心主要從事以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品的工藝研發(fā)和制造,該等第三代半導(dǎo)體器件產(chǎn)品主要用于新能源汽車、通信基站、光伏等相關(guān)領(lǐng)域。主要業(yè)務(wù)包括碳化硅和氮化鎵的外延、第三代半導(dǎo)體功率及射頻等相關(guān)芯片制造、功率模塊和功率單管封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)生產(chǎn)及銷售。其中,啟迪半導(dǎo)體目前主要負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng),太赫茲工程中心主要負(fù)責(zé)持有業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)所需的相關(guān)固定資產(chǎn)。
隨著 5G、新能源電動(dòng)車等新興應(yīng)用對(duì)功率元件效能需求提高,相較于第一代材料硅(Si)、鍺(Ge)以及第二代砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)對(duì)于溫度、頻率、功率已達(dá)極限,難以應(yīng)用在更嚴(yán)苛環(huán)境上,第三代半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)及氮化鎵(GaN)在耐高溫、高電流的環(huán)境下仍有極佳效能。
GaN 適合高頻、中高壓領(lǐng)域(低于900V)特性,適合制作射頻元件(GaN RF 射頻),如Wi-Fi、GPS定位、衛(wèi)星通訊甚至是軍用雷達(dá)。除了5G 射頻、快充,GaN 未來發(fā)展重點(diǎn):新能源汽車和數(shù)據(jù)中心。而SiC具有高功率、更高壓(超過1200 V)的特性,適合用在特高壓電網(wǎng)、風(fēng)電、太陽能、儲(chǔ)能及新能源車。
2021年多個(gè)國(guó)家政策加碼第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),我國(guó)也不例外。其中《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中的科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)專欄的集成電路中提到:“集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā),集成電路先進(jìn)工藝和絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等特色工藝突破,先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí),碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展?!敝罂萍疾?、工信部全面加大了對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持和投入力度。
相關(guān)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè):2025 年全球功率半導(dǎo)體元件及模組市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)274 億美元,其中第三代半導(dǎo)體SiC/GaN 市場(chǎng)占比從2021 年不到5%,擴(kuò)大至2025 年約17%。
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