北京時間2月21日消息（余予）當涉及到開發(fā)量子計算機和利用量子信息時，科學家們需要對構(gòu)成超導量子位的材料有一個全面的了解，量子位是保存信息的量子計算機的核心組件。美國能源部費米國家加速器實驗室（Department of Energy's Fermi National Accelerator Laboratory）的科學家們，以及Rigetti Computing和美國國家標準與技術(shù)研究所（National Institute of Standards and Technology，NIST）等合作伙伴，已經(jīng)使用一種新技術(shù)來識別物理量子位中可能限制量子信息壽命的雜質(zhì)。

量子退相干是一種現(xiàn)象，其中源自各種因素的噪聲會限制量子信息可以存儲的壽命。這種現(xiàn)象對依賴量子信息進行計算的量子計算機的性能產(chǎn)生了不利影響。當科學家們成功地構(gòu)建出受量子退相干影響較小的量子位時，量子計算機的力量將被釋放，科學家們將擁有一種新的工具來執(zhí)行經(jīng)典計算機難以或不可能解決的計算。

量子計算機旨在解決需要大量內(nèi)存的問題，通過使用一種叫做疊加的量子力學特性，這些計算機將能夠分析如交通模式、天氣預報、金融建模等等包含大量數(shù)據(jù)的系統(tǒng)。

Daniel Bafia檢查位于費米實驗室材料科學實驗室的TOF-SIMS設(shè)備。
該設(shè)備的使用使SQMS 研究人員能夠研究超導量子比特中百萬分之幾的雜質(zhì)。（圖源：SQMS 中心）

“在超導量子位中，我們一直想知道哪些潛在的材料特性會影響量子計算機的性能，”Rigetti Computing量子材料主管Josh Mutus 表示，“現(xiàn)在，SQMS的研究人員已經(jīng)能夠使用高精度分析設(shè)備檢測Rigetti設(shè)備，以發(fā)現(xiàn)我們以前從未探索過的潛在缺陷系統(tǒng)。”

在包含超導量子位的材料中發(fā)現(xiàn)的雜質(zhì)可歸因于導致量子退相干，費米實驗室領(lǐng)導的超導量子材料和系統(tǒng)中心的科學家在《應用物理快報》雜志上發(fā)表的一篇論文中強調(diào)了這一點。

通過TOF-SIMS分析提供的超導量子位樣品中碳氫化合物雜質(zhì)分布的3D表示。（圖源：SQMS 中心）

通過在原子水平上對量子比特進行三維分析，科學家們發(fā)現(xiàn)了包括氧、氫、碳、氯、氟、鈉、鎂和鈣等元素在內(nèi)的雜質(zhì)，。

為了發(fā)現(xiàn)這些雜質(zhì)，科學家們使用一種稱為TOF-SIMS或飛行時間二次離子質(zhì)譜儀的設(shè)備，在一個量子位上快速發(fā)射離子，并對其進行切割。從量子位表面脫落的離子在儀器的傳感器中進行分析，其中的組成元素可以以百萬分之幾的精度被識別出來。

“作為該中心的一部分，我們最初的目標是準確識別量子位樣本中的雜質(zhì)和缺陷。一旦我們獲得了這些信息，我們就可以建立戰(zhàn)略來去除這些雜質(zhì)并提高性能，”本出版物的主要作者、SQMS中心的研究助理Akshay Murthy表示，“這是我們進入下一步需要的信息。”

TOF-SIMS儀器最初是為費米實驗室的超導射頻研究計劃購買的，用于識別加速器腔中用于推動粒子加速器中的粒子的雜質(zhì)?，F(xiàn)在，TOF-SIMS設(shè)備首次被用于分析量子位。構(gòu)成加速器腔的材料中的雜質(zhì)也會影響性能，這使得該儀器適用于SQMS的科學家，他們也可以識別材料中的雜質(zhì)，這些雜質(zhì)會損害或幫助其他超導技術(shù)。

“執(zhí)行這種表征所需的工具不僅專業(yè)且昂貴，而且還需要經(jīng)驗豐富的科學家來獲取和分析數(shù)據(jù)。”NIST量子比特制造專家Anthony McFadden 表示，“在SQMS內(nèi)部的合作利用了費米實驗室和全國各地機構(gòu)的專業(yè)設(shè)備和專業(yè)知識。”

TOF-SIMS從頂層識別原子，通過量子位向下蝕刻，生成構(gòu)成量子位的元素和化合物的3D輪廓，并識別存在的雜質(zhì)的類型和位置。

McFadden表示，“這項工作揭示了一些經(jīng)常被忽視的退相干源，這些退相干源通常在設(shè)備處理過程中形成。”

量子位可以通過在硅上沉積一層超導鈮來制造?？茖W家們將鈮蒸發(fā)成氣體，就像冬天水蒸氣在冷金屬上形成冰一樣，鈮凝固后在硅頂部形成一層薄膜。

Murthy稱，用于整合鈮的原始腔室，或鈮原子在薄膜上的結(jié)構(gòu)，可能會對量子位上的雜質(zhì)產(chǎn)生影響。TOF-SIMS的分析可以從材料和方法的角度細化創(chuàng)建量子比特的過程。

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