6月10日消息（水易）在日前召開(kāi)的“2021世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)”上，中國(guó)工程院院士、浙江大學(xué)微納電子學(xué)院院長(zhǎng)吳漢明發(fā)表《后摩爾時(shí)代的芯片挑戰(zhàn)和機(jī)遇》，詳解目前芯片制造領(lǐng)域存在的挑戰(zhàn)以及后摩爾時(shí)代將為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來(lái)的機(jī)遇。

摩爾定律是在1965年，英特爾創(chuàng)始人戈登·摩爾提出。其核心內(nèi)容為：集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過(guò)18個(gè)月便會(huì)增加一倍。換言之，處理器的性能每隔兩年翻一倍。經(jīng)過(guò)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，摩爾定律逐漸失效，關(guān)于集成電路的發(fā)展也進(jìn)入全新的“后摩爾時(shí)代”。吳漢明指出，“后摩爾時(shí)代芯片性能提升速度放緩，對(duì)于追趕者而言一定是個(gè)機(jī)會(huì)。”

芯片制造工藝面臨三大挑戰(zhàn)，全球化不可替代

吳漢明表示，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈太長(zhǎng)、太寬。歸納集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，涉及材料、設(shè)備、制造、裝備等領(lǐng)域的公司和研究機(jī)構(gòu)，林林總總數(shù)量龐大。“既然產(chǎn)業(yè)鏈那么寬那么大，必然依賴于全球的流通，全球化的經(jīng)濟(jì)模式才能把集成電路產(chǎn)業(yè)往前推。”

“正是因?yàn)檫@種流通，使得集成電路才能沿著摩爾定律發(fā)展到當(dāng)今欣欣向榮的狀態(tài)。” 吳漢明強(qiáng)調(diào)，目前集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的總體分為四大塊：設(shè)計(jì)（邏輯、分離、存儲(chǔ)）、IPEDA、裝備材料、芯片制造。“放眼中國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，光刻機(jī)、檢測(cè)等裝備是主要需要攻關(guān)的方向，光刻膠、掩膜版、大硅片等材料基本空白，主要依賴進(jìn)口。芯片制造雖然有中芯國(guó)際等廠商，但與國(guó)際先進(jìn)水平相比，仍有差距。”

吳漢明重點(diǎn)介紹了芯片制造工藝方面面臨以下三大挑戰(zhàn)：

基礎(chǔ)挑戰(zhàn)：精密圖形。當(dāng)下主要先進(jìn)工藝都是用波長(zhǎng)193nm的光源曝光出20nm-30nm的圖形，當(dāng)波長(zhǎng)遠(yuǎn)大于物理尺寸時(shí)，物理尺寸就會(huì)非常模糊，這是精密圖形的挑戰(zhàn)。但現(xiàn)在，集成電路的光刻工程師卻能用波長(zhǎng)193nm的光源曝光出幾十nm的圖形，突破了光學(xué)的限制。

核心挑戰(zhàn)：新材料。當(dāng)光刻工藝解決以后，就要面臨新材料和新工藝的挑戰(zhàn)。本世紀(jì)以來(lái)有64種新材料陸續(xù)進(jìn)入芯片制造，支撐摩爾定律往前發(fā)展，芯片的性能提升主要依賴新材料和新工藝。“集成電路芯片制造中，主旋律就是新材料、新工藝。如果沒(méi)有新材料，即使能把芯片尺寸做得很小，但性能卻無(wú)法提升。”

終極挑戰(zhàn)：提升良率。只有量產(chǎn)且通過(guò)一定良率的工藝才能被稱為成熟的成套工藝。吳漢明指出，“良率提升是所有芯片制造企業(yè)最頭疼、最艱難的挑戰(zhàn)。不管先進(jìn)工藝做得多好，良率上不來(lái)，這個(gè)工藝就算不上成功。”

后摩爾時(shí)代追趕者機(jī)會(huì)大，要以產(chǎn)業(yè)技術(shù)為導(dǎo)向

隨著摩爾定律的逐漸失效，進(jìn)入到后摩爾時(shí)代，面對(duì)這關(guān)鍵的三大挑戰(zhàn)，芯片技術(shù)有著怎樣的發(fā)展趨勢(shì)。

吳漢明表示，在后摩爾時(shí)代的發(fā)展過(guò)程中，高性能計(jì)算、移動(dòng)計(jì)算、自主感知是集成電路產(chǎn)業(yè)的三大驅(qū)動(dòng)力，這三大驅(qū)動(dòng)引領(lǐng)著技術(shù)研發(fā)的八個(gè)主要內(nèi)容，分別是邏輯技術(shù)、基本規(guī)則縮放、性能-功率-尺寸（PPA）縮放、3D集成、內(nèi)存技術(shù)、DRAM技術(shù)、Flash技術(shù)和新興非易失性內(nèi)存技術(shù)。目標(biāo)PPAC（性能、功率、面積、成本）在2～3年內(nèi)有一定的提升，提升幅度的范圍在15%～30%之間。

與此同時(shí)，后摩爾時(shí)代，芯片性能提升逐步放緩，意味著給了一直處于追趕狀態(tài)的我國(guó)而言是一個(gè)機(jī)會(huì)。“后摩爾時(shí)代，對(duì)于追趕者一定是個(gè)機(jī)會(huì)。”吳漢明說(shuō)道。

吳漢明介紹了許居衍院士曾經(jīng)提出的后摩爾時(shí)代四類技術(shù)方向：主流方向是硅基馮諾依曼架構(gòu)，瓶頸在于功耗和速度的平衡問(wèn)題；類硅模式是延續(xù)摩爾定律的主要技術(shù)；3D封裝、存算一體等類腦模式是當(dāng)前熱門(mén)，是產(chǎn)業(yè)前景技術(shù)方向；另外還有通過(guò)改變狀態(tài)來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯運(yùn)行的新興范式，例如自旋器件、量子計(jì)算等。

“對(duì)于追趕者而言，不一定一味的追求先進(jìn)工藝，更應(yīng)該關(guān)注系統(tǒng)的性能。” 吳漢明指出，據(jù)統(tǒng)計(jì)，在去年集成電路的產(chǎn)品中，10nm制程以下的先進(jìn)產(chǎn)能占17%，83%的市場(chǎng)都被相對(duì)成熟的制程占據(jù)。因此在高度重視前沿技術(shù)的同時(shí)，也要重視成熟制程所帶來(lái)的創(chuàng)新和市場(chǎng)空間。

據(jù)吳漢明介紹，目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)有公司通過(guò)“成熟工藝+異構(gòu)集成”的方式，利用40nm的成熟工藝+異構(gòu)集成，性能可與16nm相媲美。“這也代表著后摩爾時(shí)代的技術(shù)延伸和發(fā)展方向。”

此外，集成電路的發(fā)展尤其要重視產(chǎn)業(yè)技術(shù)為導(dǎo)向的科技文化。吳漢明強(qiáng)調(diào)，通常實(shí)驗(yàn)室做到的是點(diǎn)突破，但是產(chǎn)業(yè)需要的是面突破，是全方位突破，性能做好只是一個(gè)步驟，還要考慮良率、成本等綜合因素。“技術(shù)的成功與否就是靠商業(yè)化，如果做一個(gè)技術(shù)不能商業(yè)化，那么價(jià)值不會(huì)太高。”

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