北京時(shí)間6月2日早間消息（蔣均牧）三星開(kāi)始在韓國(guó)的一家工廠建造第二條閃存生產(chǎn)線，以跟上中長(zhǎng)期因人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和5G技術(shù)廣泛應(yīng)用所驅(qū)動(dòng)的需求增長(zhǎng)。
該公司計(jì)劃于2021年下半年在首爾以南70公里的平澤（Pyeongtaek）大規(guī)模生產(chǎn)其最新的V-NAND芯片。據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，盡管它并未透露擴(kuò)大產(chǎn)能的投資規(guī)模，但消息人士估計(jì)總額約為8萬(wàn)億韓元（C114注：約合65億美元）。
三星電子存儲(chǔ)器全球銷售與市場(chǎng)部執(zhí)行副總裁Choi Cheol在一份聲明中表示：“新的投資重申了我們保持在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域無(wú)可爭(zhēng)議的領(lǐng)先地位的承諾，即使在不確定的時(shí)期（任然如此）。”
三星是世界上最大的閃存制造商。
今年3月中旬，該公司在中國(guó)西安的工廠開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)第五代V-NAND，以滿足旗艦和高端智能手機(jī)市場(chǎng)的需求。新的512GB閃存單元的寫(xiě)入速度超過(guò)1.2GB/s，比之前的版本提高了三倍。
當(dāng)時(shí)，三星表示，計(jì)劃將平澤工廠的V-NAND生產(chǎn)從第五代切換到第六代，以更好地應(yīng)對(duì)不斷增長(zhǎng)的需求。
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