今日(4月13日),長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布,其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控廠(chǎng)商SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
按照長(zhǎng)存的說(shuō)法,這款產(chǎn)品的獨(dú)特之處在于,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND,且擁有已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
值得一提的是,此次同步登場(chǎng)的還有128層TLC閃存(X2-9060),單顆容量512Gb(64GB)。
性能方面,長(zhǎng)存透露,兩款產(chǎn)品擁有1.6Gbps的I/O讀寫(xiě)性能,3D QLC單顆容量高達(dá)1.33Tb,是上一代64層的5.33倍。
據(jù)悉,兩款產(chǎn)品均采用長(zhǎng)存自研Xtacking 2.0架構(gòu),外圍電路和存儲(chǔ)單元可堆疊,帶來(lái)極佳的擴(kuò)展性。
不得不說(shuō),作為國(guó)產(chǎn)3D閃存中的佼佼者,長(zhǎng)存3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)32層到64層再到128層的跨越,追上日韓美廠(chǎng)商的先進(jìn)水平,令人矚目。
長(zhǎng)存在3D TLC/QLC閃存上的進(jìn)軍,也將為全行業(yè)深入普及SSD做出貢獻(xiàn),我們可以期待相關(guān)終端產(chǎn)品盡快上市和應(yīng)用。
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