極客網(wǎng)消息,據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,半導(dǎo)體巨頭SK海力士在VLSI 2024峰會(huì)上展示了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果。該公司在實(shí)驗(yàn)中實(shí)現(xiàn)了五層堆疊的3D DRAM內(nèi)存,其良率已達(dá)到56.1%,這一突破為3D DRAM技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展提供了重要支撐。
與傳統(tǒng)的DRAM技術(shù)不同,3D DRAM采用垂直堆疊單元的方式,可以在相同的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度。然而,SK海力士也指出,與2D DRAM的穩(wěn)定運(yùn)行相比,3D DRAM的性能特征尚存在不穩(wěn)定性,需要堆疊更多的存儲(chǔ)單元才能實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用。
目前,SK海力士的五層堆疊3D DRAM已經(jīng)展現(xiàn)出了與當(dāng)前2D DRAM相似的性能特性,這為其在市場(chǎng)上的商業(yè)化應(yīng)用打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。與此同時(shí),另一家半導(dǎo)體巨頭三星也在積極開(kāi)發(fā)16層堆疊的3D DRAM技術(shù),并計(jì)劃在2030年左右實(shí)現(xiàn)該技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
盡管3D DRAM技術(shù)仍面臨一些挑戰(zhàn),如堆疊層數(shù)的限制和性能穩(wěn)定性等問(wèn)題,但SK海力士和三星等企業(yè)的持續(xù)研發(fā)和創(chuàng)新,為這一領(lǐng)域的未來(lái)發(fā)展帶來(lái)了更多可能性。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和成熟,3D DRAM有望在未來(lái)成為半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)的重要力量。
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