全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品(650V/1200V耐壓),非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。

此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝(TO-247-4L),可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關(guān)性能。與以往3引腳封裝(TO-247N)相比,開關(guān)損耗可降低約35%,非常有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。

另外,羅姆也已開始供應(yīng)SiC MOSFET評估板“P02SCT3040KR-EVK-001”,該評估板中配置有非常適用于SiC元器件的驅(qū)動的ROHM柵極驅(qū)動器IC(BM6101FV-C)、各種電源IC及分立產(chǎn)品,可為客戶提供輕松進(jìn)行元器件評估的解決方案。

本系列產(chǎn)品已于2019年8月起以月產(chǎn)50萬個的規(guī)模逐步投入量產(chǎn)(樣品價格2,100日元起,不含稅)。生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡)。此外,本系列產(chǎn)品和評估板已于2019年9月起開始網(wǎng)售,可從AMEYA360、icHub購買。

近年來,隨著AI和IoT的發(fā)展與普及,對云服務(wù)的需求日益增加,與此同時,在全球范圍對數(shù)據(jù)中心的需求也隨之增長。數(shù)據(jù)中心所使用的服務(wù)器正在向大容量、高性能方向發(fā)展,而如何降低功耗量就成為一個亟需解決的課題。另一方面,以往服務(wù)器的功率轉(zhuǎn)換電路中,主要采用的是硅(Si)元器件,如今,損耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特別是采用了TO-247-4L封裝的SiC MOSFET,與以往封裝相比,可降低開關(guān)損耗,因此有望應(yīng)用于服務(wù)器、基站、太陽能發(fā)電等高輸出應(yīng)用中。

2015年,ROHM于全球第一家成功實(shí)現(xiàn)溝槽柵結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于領(lǐng)先于行業(yè)的產(chǎn)品開發(fā)。此次新開發(fā)出650V/1200V耐壓的低損耗SiC MOSFET,未來也會繼續(xù)推進(jìn)創(chuàng)新型元器件的開發(fā),同時提供包括非常適用于SiC驅(qū)動的柵極驅(qū)動器IC等在內(nèi)的解決方案,為進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗貢獻(xiàn)力量。

<特點(diǎn)>

采用4引腳封裝(TO-247-4L),開關(guān)損耗降低約35%

在傳統(tǒng)的3引腳封裝(TO-247N)中,源極引腳的電感分量※2)會引起柵極電壓下降,并導(dǎo)致開關(guān)速度延遲。

此次,SCT3xxx xR系列所采用的4引腳封裝(TO-247-4L),可以分離電源源極引腳和驅(qū)動器源極引腳,因此,可減少電感分量的影響。這樣,能夠充分地發(fā)揮出SiC MOSFET的高速開關(guān)性能,尤其是可以顯著改善導(dǎo)通損耗。與以往產(chǎn)品相比,導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗合起來預(yù)計可降低約35%的損耗。

<產(chǎn)品陣容>

SCT3xxx xR系列是采用溝槽柵結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET。此次新推出了共6款機(jī)型,其中包括650V的3款機(jī)型和1200V的3款機(jī)型。

<應(yīng)用>

服務(wù)器、基站、太陽能逆變器、蓄電系統(tǒng)、電動汽車的充電站等。

<評估板信息>

SiC MOSFET評估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配備了非常適用于SiC元器件驅(qū)動的ROHM柵極驅(qū)動器IC(BM6101FV-C)、各種電源IC及分立產(chǎn)品,可輕松進(jìn)行元器件的評估。為了提供在同一條件下的評估環(huán)境,該評估板不僅可以評估TO-247-4L封裝的產(chǎn)品,還可安裝并評估TO-247N封裝的產(chǎn)品。另外,使用該評估板,可進(jìn)行雙脈沖測試、Boost電路、兩電平逆變器、同步整流型Buck電路等評估。

開始銷售時間2019年9月

評估板型號P02SCT3040KR-EVK-001

網(wǎng)售平臺 AMEYA360、icHub

評估板的構(gòu)成

<術(shù)語解說>

※1 溝槽柵結(jié)構(gòu)

溝槽(Trench)意為凹槽。是在芯片表面形成凹槽,并在其側(cè)壁形成MOSFET柵極的結(jié)構(gòu)。不存在平面型MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在的JFET電阻,比平面結(jié)構(gòu)更容易實(shí)現(xiàn)微細(xì)化,有望實(shí)現(xiàn)接近SiC材料原本性能的導(dǎo)通電阻。

※2 電感分量

表示電流變化時由電磁感應(yīng)產(chǎn)生的電動勢大小的量。

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