4月25日消息，SK海力士發(fā)布截至2024年3月31日的2024財年第一季度財務(wù)報告。公司2024財年第一季度結(jié)合并收入為12.4296萬億韓元，營業(yè)利潤為2.886萬億韓元，凈利潤為1.917萬億韓元。2024財年第一季度營業(yè)利潤率為23%，凈利潤率為15%。

公司的2024年第一季度收入創(chuàng)歷史同期新高，營業(yè)利潤也創(chuàng)下了市況最佳的2018年以來同期第二高，公司將其視為擺脫了長時間的低迷期，開始轉(zhuǎn)向了全面復(fù)蘇期。

SK海力士表示：“憑借HBM等面向AI的存儲器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，公司提升了面向AI服務(wù)器的產(chǎn)品銷量，同時持續(xù)實施以盈利為主的經(jīng)營活動，從而實現(xiàn)了營業(yè)利潤環(huán)比增長734%的業(yè)績?！惫具€強調(diào)：“就NAND閃存而言，隨著高端eSSD產(chǎn)品的銷售比重提升，而且平均售價（ASP，Average Selling Price）也有所上升，成功實現(xiàn)扭虧為盈，其對公司具有重要意義?！?/p>

公司展望未來，面向AI的存儲器需求正在不斷增長，普通DRAM產(chǎn)品需求也將從下半年起有所恢復(fù)，因此今年半導(dǎo)體存儲器市場將呈現(xiàn)穩(wěn)定的增長趨勢。業(yè)界預(yù)測，因為HBM等高端產(chǎn)品與普通DRAM產(chǎn)品相比需要利用更大的產(chǎn)能（Capacity），隨著高端產(chǎn)品為主的產(chǎn)量增加，通用DRAM產(chǎn)品供應(yīng)將會相對減少，于是供應(yīng)商和客戶端的庫存將會耗盡。

順應(yīng)面向AI的存儲器需求增長的這一趨勢，SK海力士決定加大于今年3月全球率先開始生產(chǎn)的HBM3E產(chǎn)品供應(yīng)，并拓展其產(chǎn)品的客戶群。同時，公司將在今年內(nèi)推出第五代10納米級（1b）32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品，以加強面向服務(wù)器的高容量DRAM產(chǎn)品的市場領(lǐng)導(dǎo)力。

就NAND閃存，SK海力士為了維持業(yè)績改善的趨勢，將推進(jìn)產(chǎn)品優(yōu)化。以公司具有較強競爭力的高性能16組通道eSSD產(chǎn)品、子公司Solidigm的四層單元（QLC）高容量eSSD產(chǎn)品為中心著重提高產(chǎn)品銷售。同時，公司還將通過適時推出用于AI PC的第五代 PCIe cSSD，并以最佳產(chǎn)品線應(yīng)對市場需求。

注： NAND閃存憑借數(shù)據(jù)存儲方式，可分為每個單元可存儲1位數(shù)據(jù)的單層存儲單元（SLC，Single Level Cell），存儲2位數(shù)據(jù)的多層存儲單元（MLC，Multi Level Cell），存儲3位數(shù)據(jù)的三層存儲單元（TLC，Triple Level Cell），存儲4位數(shù)據(jù)的四層存儲單元（QLC，Quadruple Level Cell）。與具有相同單元數(shù)量的SLC相比，QLC可存儲多達(dá)4倍的數(shù)據(jù)，因此容易實現(xiàn)高容量存儲，而且生產(chǎn)成本效率高。

此外，SK海力士將為擴大產(chǎn)能適時進(jìn)行投資。公司于本月24日已宣布，決定將韓國清州的M15X廠定為DRAM生產(chǎn)基地并加速建設(shè)。并且也將順利推進(jìn)龍仁半導(dǎo)體集群和美國印第安納州先進(jìn)封裝工廠等中長期投資項目。

據(jù)此，今年投資規(guī)模與年初的原計劃相比會有所提升。公司對此解釋道，此次加大投資是根據(jù)客戶需求的增長趨勢而決定，HBM和普通DRAM的供應(yīng)也將根據(jù)市場需求逐漸提升。公司期待在此過程中，全球半導(dǎo)體存儲器市場得以穩(wěn)部增長的同時，公司也能夠確保更高投資效率和財務(wù)穩(wěn)健性。

SK海力士財務(wù)擔(dān)當(dāng)副社長（CFO）金祐賢表示：“憑借HBM等適于AI的存儲器技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，公司業(yè)績開始全面回升。今后，公司也將及時供應(yīng)最高性能的產(chǎn)品，并繼續(xù)維持以盈利為主經(jīng)營，不斷改善公司業(yè)績?！保ㄐ驴f）

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