TechWeb 文 / 新喀鴉

在近日的智己L6超級智能轎車發(fā)布會上，智己在介紹L6時將“智己L6超強性能版”與“小米SU7 Max”進行對比。智己錯誤地將小米SU7 Max的電機參數(shù)標(biāo)注為“前IGBT后SiC”（實際前后均為SiC）。

對于此問題，智己汽車科技有限公司聯(lián)席CEO劉濤以及智己汽車官方均發(fā)布了致歉聲明。

兩次致歉

第一次致歉是智己汽車聯(lián)席CEO劉濤在微博上發(fā)布的致歉聲明。

智己汽車聯(lián)席CEO劉濤稱：“由于產(chǎn)品信息的調(diào)研結(jié)果有誤，發(fā)布會上有一處信息錯誤。

小米SU7跟智己L6一樣，都是前后電機都使用SIC碳化硅模塊，小米SU7確實是我們非常尊敬的競爭隊友！

在此，我誠摯地向小米汽車和大家致歉?！?/p>

對于這樣的致歉聲明，小米公司并不買賬。小米公司表示：我們不接受個人輕描淡寫的非正式的道歉。我們再次敦促智己公司，立即公開澄清，并向被其誤導(dǎo)的公眾正式道歉！

需要注意的是，智己汽車聯(lián)席CEO劉濤在本次致歉中將“SiC”（碳化硅）錯誤地寫成了“SIC”。不過畢竟這是“個人輕描淡寫的非正式的道歉”，有些錯誤和筆誤似乎也可以理解。

在第二次致歉中，智己汽車官方發(fā)布了正式的“致歉函”。

在致歉函中，智己汽車稱：“在剛剛結(jié)束的「超越一切向往」智己L6超級智能轎車發(fā)布會過程中，對標(biāo)近期同級流量熱議的小米SU7產(chǎn)品力介紹過程中，由于團隊內(nèi)容審核疏漏，造成一處關(guān)鍵參數(shù)的錯誤標(biāo)注，澄清如下：

小米SU7 Max版前后電機均采用SIC碳化硅模塊，與智己L6所采用的技術(shù)一致，均為行業(yè)頂尖的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。

小米汽車及旗下產(chǎn)品SU7，是我們尊敬的競爭隊友！由于內(nèi)審出現(xiàn)疏漏，造成對小米汽車的負(fù)面影響，我們深表歉意，也向所有粉絲、用戶們誠摯致歉！”

相信大家不難發(fā)現(xiàn)，在這篇蓋有“智己汽車科技有限公司公關(guān)部”公章的致歉函中，智己汽車依舊把“SiC”（碳化硅）錯誤地寫成了“SIC”。如果說前面聯(lián)席CEO劉濤發(fā)布的“個人致歉聲明”中寫錯算筆誤的話，但這種蓋有公章的文件也寫錯就確實有點不應(yīng)該了。

截至發(fā)稿時，相關(guān)錯誤已被官方修正。

初中化學(xué)錯誤

隨著技術(shù)的日新月異，科技領(lǐng)域不斷孕育出眾多專業(yè)術(shù)語，這無疑為非本專業(yè)人士在撰寫相關(guān)文章時帶來了不小的挑戰(zhàn)。他們在嘗試運用這些術(shù)語時，偶爾出現(xiàn)誤用或誤解的情況也是情有可原的。

不過應(yīng)該有不少接受過九年義務(wù)教育的朋友已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了，智己汽車在致歉函中的錯誤屬于“初中化學(xué)錯誤”。

以2019-2020學(xué)年初中化學(xué)《物質(zhì)構(gòu)成的奧秘》專項訓(xùn)練模擬測試中的某題為例，該題的第五小問為：“已知碳化硅中碳元素顯-4價，硅元素顯+4價，碳化硅的化學(xué)式為__________．”

由此我們不難看出，正確書寫碳化硅的化學(xué)式是初中化學(xué)的基本要求。

另外以2023屆江西省九江市修水縣九年級化學(xué)第一學(xué)期期末統(tǒng)考試中的某題為例：

華為公司致力于核心技術(shù)的研發(fā)，其自主研制的芯片已達到世界領(lǐng)先水平。該芯片的主要材料是高純度的單質(zhì)硅，其結(jié)構(gòu)類似于金剛石。下列有關(guān)硅的說法正確的是

A.元素符號為SI

B.屬于非金屬元素

C.硅是地殼中含量最多的元素

D.單質(zhì)硅由分子構(gòu)成

其中A選項由于硅元素符號為Si，故說法錯誤。

由于該選擇題屬于“簡單題”，所以我們可以相信大多數(shù)初中考生不會將“Si”（硅）錯誤地寫成“SI”。同理，也不會將“SiC”（碳化硅）錯誤地寫成了“SIC”。

小米汽車產(chǎn)品經(jīng)理評價：請學(xué)習(xí)并尊重技術(shù)

在新浪微博上，小米汽車產(chǎn)品經(jīng)理 @潘曉曉曉曉曉曉曉雯 發(fā)文表示；“碳化硅怎么寫：SiC，請學(xué)習(xí)并尊重技術(shù)。”

她還向網(wǎng)友表示：“我們常說的IGBT/SiC是指代電驅(qū)控制器中的功率模塊。是由一到多組功率芯片并聯(lián)組成的開關(guān)電路。有以Si為材料IGBT構(gòu)型的芯片，有以SiC為材料MOSFET為構(gòu)型的芯片（對，IGBT是構(gòu)型，SiC是指芯片材料）。

功率模塊負(fù)責(zé)將電池的直流電轉(zhuǎn)化為交流電驅(qū)動電機，重要程度可想而知。SiC MOSFET相比Si IGBT幾乎沒有開關(guān)損耗。

因為SiC的制造工藝難度高，得片率、良品率低，導(dǎo)致SiC相比于Si，價格還在2～5倍。

這個配置非常昂貴，我們天天拉著工程師拆解技術(shù)。只有對它的原理、作用、發(fā)展趨勢都要了解，才能做出正確的取舍?！?/p>

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