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    東芝推出采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET

    6月14日消息,東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出采用最新一代工藝制造的"TK055U60Z1",進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線(xiàn)。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu),耐壓600V,適用于數(shù)據(jù)中心、開(kāi)關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品,已經(jīng)開(kāi)始批量出貨。

    通過(guò)對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比,600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的單位面積漏源導(dǎo)通電阻降低了約13%,漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷(MOSFET性能的品質(zhì)因數(shù))降低了約52%。這有助于確保該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗的雙重降低,并最終實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)電源效率的提高。

    該新產(chǎn)品采用TOLL封裝,柵極驅(qū)動(dòng)采用開(kāi)爾文連接??梢酝ㄟ^(guò)降低封裝中源極線(xiàn)電感的影響,增強(qiáng)MOSFET的高速開(kāi)關(guān)性能,從而抑制開(kāi)關(guān)過(guò)程中的振蕩。

    未來(lái),東芝將繼續(xù)擴(kuò)展600V DTMOSVI系列產(chǎn)品線(xiàn),以及已發(fā)布的650V DTMOSVI系列產(chǎn)品,并通過(guò)降低開(kāi)關(guān)電源的功率損耗來(lái)達(dá)到節(jié)約節(jié)能的目的。

    極客網(wǎng)企業(yè)會(huì)員

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    2023-06-14
    東芝推出采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET
    6月14日消息,東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出采用最新一代工藝制造的"TK055U60Z1"。

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