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    東芝推出具有更低導(dǎo)通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET

    5月18日消息,東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”,該器件可用于移動設(shè)備鋰離子(Li-ion)電池組中的電池保護電路。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

    鋰離子電池組依靠高度穩(wěn)定的保護電路來減少充放電時產(chǎn)生的熱量,以提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性,同時要求MOSFET小巧纖薄,且具有更低的導(dǎo)通電阻。

    SSM14N956L采用東芝專用的微加工工藝,已經(jīng)發(fā)布的SSM10N954L也采用該技術(shù)。憑借業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻特性實現(xiàn)了低功耗,而業(yè)界領(lǐng)先的低柵源漏電流特性又保證了低待機功耗。這些特性有助于延長電池的使用時間。此外,新產(chǎn)品還采用了一種新型的小巧纖薄的封裝TCSPED-302701(2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)。


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    2023-05-18
    東芝推出具有更低導(dǎo)通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET
    5月18日消息,東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”,該器件可用于移動設(shè)備鋰離子(Li-ion)電池組中的電池保護電路。該產(chǎn)品于今

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