據(jù)韓國媒體報道,蘋果最新的iPhone6和iPhone6 Plus智能手機(jī)被發(fā)現(xiàn)有功能缺陷,11月2日一些海外IT新聞網(wǎng)站報道,有些iPhone6和iPhone6 Plus的數(shù)據(jù)存儲有問題。
Business Insider在10月24日報道,一些128GB版iPhone6 Plus用戶有功能缺陷,當(dāng)用戶在不同應(yīng)用之間切換或者查看通知時,據(jù)說手機(jī)會莫名其妙地死機(jī)或進(jìn)入重啟怪圈。Apple Insider在10月23日也報道,一些iPhone6 Plus機(jī)主已經(jīng)更換4部手機(jī),蘋果最新的iOS 8.1升級沒有修復(fù)這些缺陷。
業(yè)內(nèi)人士指出,考慮到技術(shù)缺陷主要存在于128GB版iPhone6 Plus,問題有可能出現(xiàn)在三階儲存單元(TLC)NAND閃存的控制器集成電路。TLC閃存屬于固態(tài)NAND閃存,每個閃媒單元可存儲3位數(shù)據(jù),相比存儲1位數(shù)據(jù)的單階存儲單元(SLC)能多存儲2倍的數(shù)據(jù),也高于存儲2位數(shù)據(jù)的多階存儲單元(MLC)固態(tài)閃存。
此外,TLC閃存更廉價,但在讀取和寫入數(shù)據(jù)方面,TLC比SLC和MLC慢。據(jù)報道,為了節(jié)約成本蘋果在128GB版iPhone6 Plus和其他一些型號上使用了TLC閃存。以前,TLC閃存被用于部分iPad平板電腦,而多數(shù)iPhone系列使用更昂貴但更穩(wěn)定的MLC閃存。
網(wǎng)上很多報道顯示,讀取性能差的三星SSD840和840EVO使用了TLC閃存,因此控制器集成電路的問題被認(rèn)為是導(dǎo)致缺陷的最可能原因。隨著對SSD840和840EVO爭議的上升,三星不得不升級了固件。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,如果TLC閃存是蘋果手機(jī)缺陷的原因,蘋果應(yīng)該召回所有產(chǎn)品。
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