7月19日消息，三星電子宣布已完成其業(yè)內(nèi)首款GDDR7的研發(fā)工作。年內(nèi)將首先搭載于主要客戶的下一代系統(tǒng)上驗(yàn)證，從而帶動(dòng)未來(lái)顯卡市場(chǎng)的增長(zhǎng)，并進(jìn)一步鞏固三星電子在該領(lǐng)域的技術(shù)地位。

繼2022年三星開(kāi)發(fā)出速度為每秒24千兆比特(Gbps)的GDDR6 16Gb之后，GDDR7 16Gb產(chǎn)品將提供目前為止三星顯存的最高速度32Gbps。同時(shí)，集成電路（IC）設(shè)計(jì)和封裝技術(shù)的創(chuàng)新提升了高速運(yùn)行下的性能穩(wěn)定性。

三星電子存儲(chǔ)器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁Yongcheol Bae表示，三星的GDDR7 產(chǎn)品將用于工作站、個(gè)人電腦和游戲機(jī)等，并有望擴(kuò)展到人工智能、高性能計(jì)算和汽車(chē)等領(lǐng)域。

三星GDDR7可達(dá)到每秒1.5太字節(jié)（TBps）的帶寬，是GDDR6 1.1TBps的1.4倍，并且每個(gè)數(shù)據(jù)I/O（輸入/輸出）口速率可達(dá)32Gbps。該產(chǎn)品采用脈幅調(diào)制（PAM3）信號(hào)方式，取代前幾代產(chǎn)品的不歸零（NRZ）信號(hào)方式，從而實(shí)現(xiàn)性能大幅提升。在相同信號(hào)周期內(nèi)，PAM3信號(hào)方式可比NRZ信號(hào)方式多傳輸50%的數(shù)據(jù)。

另外，GDDR7的設(shè)計(jì)采用了適合高速運(yùn)行的節(jié)能技術(shù)，相比GDDR6能效提高了20%。針對(duì)筆記本電腦等注重功耗的設(shè)備，三星提供了一個(gè)低工作電壓的選項(xiàng)。

為最大限度地減少顯存芯片發(fā)熱，除集成電路（IC）架構(gòu)優(yōu)化外，三星還在封裝材料中使用具有高導(dǎo)熱性的環(huán)氧成型化合物（EMC）材料。與GDDR6相比，這些改進(jìn)不僅顯著降低70%的熱阻，還幫助GDDR7在高速運(yùn)行的情況下，也能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。

生成海報(bào)

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來(lái)自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請(qǐng)進(jìn)一步核實(shí)，并對(duì)任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對(duì)有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁(yè)或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí)，應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書(shū)面權(quán)利通知或不實(shí)情況說(shuō)明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開(kāi)相關(guān)鏈接。