12月8日消息（吳麗）SK海力士今日宣布成功開(kāi)發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)樣品。據(jù)介紹，這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器DRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達(dá)8Gbps，較之目前DDR5產(chǎn)品4.8Gbps提高了80%以上。

DDR(Double Data Rate)是一種DRAM標(biāo)準(zhǔn)，主要應(yīng)用于服務(wù)器和客戶(hù)端，目前已經(jīng)發(fā)展至第五代。MCR DIMM是一種模塊產(chǎn)品，將多個(gè)DRAM組合在一塊主板上，能夠同時(shí)運(yùn)行兩個(gè)內(nèi)存列。

內(nèi)存列(RANK) ：從DRAM模塊向CPU傳輸數(shù)據(jù)的基本單位。一個(gè)內(nèi)存列通常可向CPU傳送64字節(jié)(Byte)的數(shù)據(jù)。

該MCR DIMM產(chǎn)品采用了全新的方法來(lái)以提高DDR5的傳輸速度。雖然普遍認(rèn)為DDR5的運(yùn)行速度取決于單個(gè)DRAM芯片的速度，但SK海力士工程師在開(kāi)發(fā)該產(chǎn)品時(shí)另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個(gè)DRAM芯片的速度。

SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)，以英特爾MCR技術(shù)為基礎(chǔ)，利用安裝在MCR DIMM上的數(shù)據(jù)緩沖器(data buffer)同時(shí)運(yùn)行兩個(gè)內(nèi)存列。

緩沖器(Buffer) ：安裝在內(nèi)存模塊上的組件，用于優(yōu)化DRAM與CPU之間的信號(hào)傳輸性能。主要安裝在對(duì)性能和可靠性要求較高的服務(wù)器模塊中

傳統(tǒng)DRAM模塊每次只能向CPU傳輸64個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，而在MCR DIMM模塊中，兩個(gè)內(nèi)存列同時(shí)運(yùn)行可向CPU傳輸128個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)。每次傳輸?shù)紺PU的數(shù)據(jù)量的增加使得數(shù)據(jù)傳輸速度提高到8Gbps以上，是單個(gè)DRAM的兩倍。

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