8月20日消息（郭睿琦）臺(tái)積電近期傳出將展開(kāi)評(píng)估在美投資興建第二座晶圓廠，擬切入 3 納米制程，建廠時(shí)程約 2 年后。對(duì)此，臺(tái)積電8月19日表示，不回應(yīng)市場(chǎng)傳聞。此前，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州 5 納米新廠，已于7月底上梁，預(yù)計(jì)一期于2024年量產(chǎn)，第一期月產(chǎn)能2萬(wàn)片。

不過(guò)，由于臺(tái)積電亞利桑那州廠土地面積廣大，占地約445公頃，先前就多次傳出，臺(tái)積電將擴(kuò)大亞利桑那州投資計(jì)劃，預(yù)計(jì)建6座晶圓廠。

臺(tái)積電總裁魏哲家去年也曾說(shuō)，臺(tái)積電已在亞利桑那州取得大范圍土地，以維持彈性，進(jìn)一步擴(kuò)建是有可能的，但首要任務(wù)是使第一期廠房順利量產(chǎn)，接著根據(jù)營(yíng)運(yùn)效率、成本效益，及客戶需求來(lái)決定下一步計(jì)劃。

據(jù)了解，臺(tái)積電的3nm工藝仍將采用FinFET晶體管的結(jié)構(gòu)，而三星的3nm節(jié)點(diǎn)采用GAA晶體管架構(gòu)。三星甚至領(lǐng)先于臺(tái)積電，將3nm工藝技術(shù)轉(zhuǎn)向量產(chǎn)。

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