8月19日消息（郭睿琦）三星電子副會長李在镕19日先后訪問公司位于京畿道器興和華城的半導(dǎo)體廠，盤點半導(dǎo)體事務(wù)。這是李在镕在光復(fù)節(jié)獲特赦重返經(jīng)營一線后的第一個公開日程。
李在镕當天出席在京畿道器興園區(qū)舉行的下一代半導(dǎo)體研發(fā)（R&D）園區(qū)動工儀式。他表示，公司器興半導(dǎo)體廠破土動工已過40年，今天在此再次開始新的挑戰(zhàn)。沒有對研發(fā)的大膽投資就不會有如今的三星半導(dǎo)體，讓我們秉承“重視技術(shù)、先行投資”的傳統(tǒng)，以前所未有的全新技術(shù)創(chuàng)造未來。
據(jù)韓國《亞洲日報》報道，該園區(qū)是三星電子自2014年之后時隔8年在國內(nèi)新建研發(fā)中心。該研發(fā)園區(qū)總面積約10.9萬平方米，將主管NAND閃存、晶圓代工、系統(tǒng)新片等新技術(shù)研發(fā)。三星電子計劃到2028年對該園區(qū)投資約20萬億韓元（約合人民幣1030億元）。三星電子相關(guān)人士表示，若建成具備尖端設(shè)備的研發(fā)中心，有望縮短新一代產(chǎn)品研發(fā)時間，提升半導(dǎo)體質(zhì)量。
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