6月30日消息（郭睿琦）三星電子今日宣布，基于3納米（nm）全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT，簡稱 GAA）制程工藝節(jié)點的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn)。該公司已經(jīng)開始在其位于韓國的華城工廠大規(guī)模生產(chǎn) 3 納米半導(dǎo)體芯片，是全球首家量產(chǎn) 3 納米芯片的公司。

3nm GAA技術(shù)采用了更寬通的納米片，與采用窄通道納米線的GAA技術(shù)相比能提供更高的性能和能耗比。

與三星5nm工藝相比，第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少35%。