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    盛美步入邊緣刻蝕領(lǐng)域,新產(chǎn)品支持3D NAND、DRAM和先進(jìn)邏輯制造工藝

    8月19日消息,盛美半導(dǎo)體設(shè)備近日公布的邊緣濕法刻蝕設(shè)備,進(jìn)一步拓寬了盛美濕法設(shè)備的覆蓋面。該新設(shè)備使用濕法刻蝕方法來去除晶圓邊緣的各種電介質(zhì)、金屬和有機(jī)材料薄膜,以及顆粒污染物。這種方法最大限度地減少了邊緣污染對后續(xù)工藝步驟的影響,提高了芯片制造的良率,同時整合背面晶圓清洗的功能,進(jìn)一步優(yōu)化了工藝和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。

    盛美半導(dǎo)體設(shè)備董事長王暉表示:“在IC制造工藝?yán)铮貏e是在3D NAND、DRAM和先進(jìn)邏輯器件工藝中,晶圓邊緣剝離、雜質(zhì)顆粒和殘留物會導(dǎo)致晶圓邊緣良率降低,現(xiàn)在這個問題的解決對于優(yōu)化整體工藝良率變得越來越重要。我們開發(fā)的邊緣濕法刻蝕清洗設(shè)備可有效解決這種邊緣良率降低的問題,這款新產(chǎn)品也把盛美在濕法工藝的專業(yè)技術(shù)拓展到邊緣刻蝕應(yīng)用領(lǐng)域。與干法相比,該產(chǎn)品不僅具備明顯的性能優(yōu)勢,而且可以顯著減少化學(xué)品的用量。更值得一提的是,盛美獨創(chuàng)的專利技術(shù)可做到更精準(zhǔn)高效的晶圓對準(zhǔn),以實現(xiàn)精準(zhǔn)邊緣刻蝕,從而提高良率及產(chǎn)能。”

    盛美的邊緣刻蝕產(chǎn)品支持多種器件和工藝,包括3D NAND、DRAM和先進(jìn)邏輯工藝。

    一直以來,制造商都是使用干法刻蝕工藝來解決邊緣薄膜和污染物去除的問題。濕法刻蝕區(qū)別于干法工藝,它避免了產(chǎn)生電弧和硅損傷的風(fēng)險,同時還能通過 1-7 毫米可變的晶圓邊緣薄膜刻蝕/切割精度、良好的均勻性、可控的刻蝕選擇性和較低的化學(xué)品消耗量,來降低總體擁有成本。

    盛美首臺用于量產(chǎn)的邊緣刻蝕產(chǎn)品將于2021年第三季度交付給一家中國的邏輯器件制造商。

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    2021-08-18
    盛美步入邊緣刻蝕領(lǐng)域,新產(chǎn)品支持3D NAND、DRAM和先進(jìn)邏輯制造工藝
    8月19日消息,盛美半導(dǎo)體設(shè)備近日公布的邊緣濕法刻蝕設(shè)備,進(jìn)一步拓寬了盛美濕法設(shè)備的覆蓋面。

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