2021年6月30日，近日 新浪微博@烏合麒麟 被網(wǎng)友指責(zé)轉(zhuǎn)發(fā)不實(shí)消息、造謠。雙方就“14nm芯片經(jīng)過(guò)優(yōu)化和新技術(shù)支持，是否可以比肩7nm性能”的問(wèn)題論戰(zhàn)了多日，最終于6月27日烏合麒麟發(fā)布了一條收回道歉的聲明，并且他在這則聲明中提到了一些他對(duì)于3D封裝技術(shù)的理解。

關(guān)于他們爭(zhēng)論的問(wèn)題，筆者認(rèn)為可以從兩個(gè)方面探討：

*采用14nm工藝制造的芯片是否可以通過(guò)3D封裝等技術(shù)最終達(dá)到肩比7nm的性能？

這個(gè)說(shuō)法本身沒(méi)問(wèn)題。

*這個(gè)是否值得國(guó)人“沸騰”呢？

不值。

14+14nm可以大于7嗎？

首先，他們討論時(shí)原話描述為“將兩個(gè)低制程芯片進(jìn)行特殊方法進(jìn)行疊加優(yōu)化，可以達(dá)到更好的使用體驗(yàn)技術(shù)已經(jīng)獲得突破，14nm芯片經(jīng)過(guò)優(yōu)化和新技術(shù)支撐，可以比肩7nm性能”。這個(gè)說(shuō)法本身沒(méi)問(wèn)題，但在一些內(nèi)行人看來(lái)，這個(gè)說(shuō)法可能就是說(shuō)了個(gè)“寂寞”。

在初中物理和初中化學(xué)中提到了一個(gè)概念--控制變量，而這個(gè)問(wèn)題在描述的時(shí)候并沒(méi)有控制變量。就像這個(gè)問(wèn)題中根本就沒(méi)有提對(duì)比的芯片面積、微架構(gòu)等因素是否相同，而這些都是非常影響性能的。

舉個(gè)例子來(lái)說(shuō)，這種說(shuō)法就像在辯論關(guān)公戰(zhàn)秦瓊。正方說(shuō)，關(guān)公在一定情況下可以戰(zhàn)勝秦瓊。那么這時(shí)候說(shuō)的一定情況到時(shí)是說(shuō)青年時(shí)的關(guān)公能戰(zhàn)勝暮年時(shí)的秦瓊，還是說(shuō)暮年時(shí)的關(guān)公能戰(zhàn)勝青年時(shí)的秦瓊呢？或者說(shuō)手持青龍偃月刀的關(guān)公可以戰(zhàn)勝赤手空拳的秦瓊呢？所以在討論這問(wèn)題時(shí)，不談年齡，不談拿沒(méi)拿武器，直接說(shuō)關(guān)公在一定情況下可以戰(zhàn)勝秦瓊，這個(gè)說(shuō)法沒(méi)錯(cuò)，但沒(méi)有現(xiàn)實(shí)意義。

同樣的，我也可以提出這樣一個(gè)觀點(diǎn)：

“不需要14+14nm的3D封裝，單14nm芯片性能在一定情況下直接就可以超過(guò)7nm芯片”。

我不光提了這個(gè)觀點(diǎn)，我還可以舉出實(shí)例。由14nm打造的AMD 銳龍 Threadripper 1950X性能超過(guò)由7nm打造的AMD 銳龍 5 5600X。

上部分為5600X參數(shù) 下部分為1950X參數(shù)

不過(guò)細(xì)心的小伙伴應(yīng)該發(fā)現(xiàn)了，這兩款芯片尺寸規(guī)格是不一樣的，也就是說(shuō)沒(méi)有控制變量。而在我們常識(shí)中認(rèn)為的7nm芯片比14nm芯片強(qiáng)，一定是建立在同規(guī)格、同芯片面積、同微架構(gòu)等等，除了工藝以外其它條件都相同的情況下。如果不控制其它變量，誰(shuí)比誰(shuí)強(qiáng)都是正常的。

烏合麒麟的聲明

關(guān)于3D封裝部分，烏合麒麟在他的收回道歉的聲明中是這樣描述的。“而因特爾正是靠這種3d堆疊的技術(shù)把14nm芯片的功效和臺(tái)積電7nm甚至5nm的功效打的有來(lái)有回的。”

這個(gè)描述是錯(cuò)誤的，英特爾在14nm這個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)沒(méi)有使用過(guò)3D封裝。英特爾在CES 2019上公布了Foveros 3D立體封裝技術(shù)，首款產(chǎn)品代號(hào)Lakefield。而這個(gè)Lakefield，是10nm CPU。而且英特爾在這方面也只是試水階段，目前

Lakefield只有兩個(gè)型號(hào)的產(chǎn)品。

所以英特爾真就靠這兩款采用3D堆疊技術(shù)的10nm CPU跟臺(tái)積電打得有來(lái)有回？而且這兩款還不是什么主力型號(hào)？這個(gè)說(shuō)法顯然不靠譜。

關(guān)于他在回應(yīng)中提及的“不能證實(shí)海思是否正在研發(fā)這個(gè)技術(shù)”，如果從技術(shù)角度看，即使海思在研究，它也不是研究的主力。

眾所周知，海思是一家Fabless，也就是說(shuō)它只負(fù)責(zé)芯片的設(shè)計(jì)，不涉足芯片的制造環(huán)節(jié)。而像3D封裝這種技術(shù)明顯是屬于芯片制造環(huán)節(jié)的，相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)也許會(huì)和Fabless協(xié)商，但核心技術(shù)還是要由臺(tái)積電或者中芯國(guó)際這樣的晶圓代工廠來(lái)推動(dòng)。

并不值得國(guó)人“沸騰”的技術(shù)

但從技術(shù)上說(shuō)，3D封裝并不足以讓我們擺脫國(guó)產(chǎn)芯片落后的現(xiàn)狀，而且3D封裝技術(shù)本身還有很多問(wèn)題需要突破，比如散熱。

舉例來(lái)說(shuō)就像兩個(gè)人在掰手腕，14nm就是一個(gè)普通人，而7nm就像一個(gè)大力士。同等情況下普通人的一只胳膊肯定是贏不了大力士的一只胳膊的，但是如果普通人用兩只胳膊的話是可以贏大力士的一只胳膊的。這也就是3D堆疊技術(shù)的優(yōu)勢(shì)所在，3D堆疊技術(shù)確實(shí)可以提高單個(gè)芯片的性能。

但是大力士的另一只胳膊為什么要閑著呢？也就是說(shuō)如果業(yè)界將來(lái)真的把3D堆疊技術(shù)研究成熟，14nm工藝會(huì)用3D堆疊，憑什么7nm就不用3D堆疊呢？而且從3D NAND的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，7nm工藝因?yàn)槠漭^高的能效比，其堆疊層數(shù)會(huì)大于14nm工藝的3D堆疊。如果假設(shè)14nm能堆疊2層，7nm就能堆疊3層，那到時(shí)候7nm芯片和14nm芯片的性能差異就會(huì)更大了。

國(guó)產(chǎn)芯片技術(shù)想要崛起，研究更小尺寸的工藝這事是躲不開(kāi)的。

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