5月21日消息，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)宣布，電氣與電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng)，表彰公司在超級(jí)集成硅柵半導(dǎo)體工藝技術(shù)方面的開(kāi)創(chuàng)性研究成果。意法半導(dǎo)體的BCD技術(shù)可以單片集成雙極工藝高精度模擬晶體管、CMOS工藝高性能數(shù)字開(kāi)關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，適合復(fù)雜的、有大功率需求的應(yīng)用。多年來(lái)，BCD工藝技術(shù)已賦能硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)和汽車(chē)系統(tǒng)等終端應(yīng)用取得了顛覆性發(fā)展。

在意法半導(dǎo)體Agrate工廠舉行的現(xiàn)場(chǎng) / 線上揭牌儀式上，IEEE意大利分部人道主義活動(dòng)委員會(huì)協(xié)調(diào)員兼前任秘書(shū)Giambattista Gruosso和意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery共同揭開(kāi)了IEEE里程碑牌匾。

該牌匾將放置在意法半導(dǎo)體在意大利米蘭市近郊的兩個(gè)曾經(jīng)承擔(dān)多硅柵多功率BCD開(kāi)發(fā)工作的意大利布里安札的Agrate工廠和意大利米蘭Castelletto工廠的大門(mén)口。

牌匾上寫(xiě)著：

IEEE里程碑

單片多硅技術(shù)，1985年

SGS（現(xiàn)為意法半導(dǎo)體）率先采用單片集成雙極型晶體管、CMOS晶體管和DMOS晶體管(BCD)的超級(jí)集成硅柵極工藝，解決復(fù)雜的、有大功率需求的應(yīng)用設(shè)計(jì)難題。首個(gè)BCD超級(jí)集成電路L6202可以控制最高60V-5A的功率，開(kāi)關(guān)頻率300kHz。隨后的汽車(chē)、計(jì)算機(jī)和工業(yè)自動(dòng)化廣泛采用了這項(xiàng)工藝技術(shù)，讓芯片設(shè)計(jì)人員能夠靈活、可靠地單片集成功率、模擬和數(shù)字信號(hào)處理電路。

IEEE于1983年建立了里程碑計(jì)劃，以表彰在獨(dú)特產(chǎn)品、服務(wù)、有影響力的論文和專(zhuān)利中造福人類(lèi)的技術(shù)創(chuàng)新和卓越成就。每一個(gè)里程碑獎(jiǎng)都代表了一項(xiàng)至少是25年前在IEEE代表的技術(shù)領(lǐng)域產(chǎn)生的至少具有地區(qū)影響力的重要技術(shù)成就。目前，IEEE在全球范圍內(nèi)批準(zhǔn)并頒發(fā)了大約220塊IEEE里程碑牌匾。

在上個(gè)世紀(jì)八十年代初期，意法半導(dǎo)體工程師開(kāi)始尋找可靠的方法解決各種電子應(yīng)用問(wèn)題，并第首先在一顆單芯片上集成異質(zhì)晶體管和異質(zhì)二極管。工程師著眼于多個(gè)細(xì)分市場(chǎng)的客戶需求，著力于在數(shù)字邏輯的控制下提供數(shù)百瓦的電力，而且控制邏輯技術(shù)遵循摩爾定律。目標(biāo)器件還將支持精確的模擬功能，并最大程度地降低功耗，無(wú)需使用散熱器。

這些研發(fā)活動(dòng)最終產(chǎn)生了一種新的集成硅柵技術(shù)。這種被稱(chēng)為BCD (雙極、CMOS、DMOS) 的技術(shù)利用復(fù)雜的互連方法在單個(gè)芯片上集成二極管、雙極線性晶體管、復(fù)雜CMOS邏輯和多個(gè)DMOS功率晶體管。BCD首個(gè)芯片是L6202電動(dòng)機(jī)全橋驅(qū)動(dòng)器，工作電壓60V，電流1.5A，開(kāi)關(guān)頻率300kHz，達(dá)到所有設(shè)計(jì)目標(biāo)。這個(gè)新的可靠工藝技術(shù)讓芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單個(gè)芯片上靈活地集成功率、模擬和數(shù)字信號(hào)處理電路。

從推出BCD工藝至今，意法半導(dǎo)體已經(jīng)售出400多億顆硅柵多功率BCD器件/芯片，第十代BCD技術(shù)即將開(kāi)始投產(chǎn)。在歐洲和亞洲，意法半導(dǎo)體前后工序制造工廠的這項(xiàng)BCD技術(shù)廣泛用于汽車(chē)子系統(tǒng)、智能手機(jī)、家用電器、音頻放大器、硬盤(pán)、電源、打印機(jī)、微型投影儀、照明、醫(yī)療設(shè)備、電動(dòng)機(jī)、調(diào)制解調(diào)器、顯示器等。

意法半導(dǎo)體總裁、首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示：“在80年代初, 智能電源還是一個(gè)獨(dú)樹(shù)一幟的概念，我們的一個(gè)有遠(yuǎn)見(jiàn)和眼光的天才技術(shù)團(tuán)隊(duì)認(rèn)識(shí)到智能電源的價(jià)值，創(chuàng)造了一項(xiàng)非凡成就，將雙極晶體管的高精度功能與CMOS數(shù)字控制和DMOS的高功率整合成一顆芯片。到現(xiàn)在，已經(jīng)過(guò)去35年并經(jīng)歷了9次技術(shù)迭代，我們產(chǎn)出500萬(wàn)片晶圓，售出400億顆芯片 – 僅去年一年就售出近30億顆芯片。能夠得到這一IEEE里程碑匾額意味著ST的BCD技術(shù)將被寫(xiě)進(jìn)推進(jìn)人類(lèi)發(fā)展的科技史冊(cè)，對(duì)此，我們的自豪無(wú)以言表。”

生成海報(bào)

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來(lái)自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請(qǐng)進(jìn)一步核實(shí)，并對(duì)任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對(duì)有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁(yè)或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí)，應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書(shū)面權(quán)利通知或不實(shí)情況說(shuō)明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開(kāi)相關(guān)鏈接。