2021年5月11日，5月6日晚間IBM首發(fā)了2nm工藝芯片，與當(dāng)前主流的7nm芯片相比，IBM 2nm芯片的性能預(yù)計(jì)提升45%，能耗降低75%。那么IBM首發(fā)2nm是否意味著IBM這個(gè)藍(lán)色巨人在芯片制造行業(yè)站起來了呢？從最近的消息和行業(yè)歷史上來看明顯不是。

沒有車何談彎道超車？

一般來說，像發(fā)布幾納米制造工藝這個(gè)事，屬于芯片代工行業(yè)（或者芯片制造行業(yè)）的問題，典型企業(yè)比如像英特爾、臺(tái)積電、三星。IBM發(fā)布2nm芯片之后，很多文章將IBM和這些企業(yè)做對(duì)比，一些人認(rèn)為IBM發(fā)布2nm芯片之后在芯片制造行業(yè)彎道超車了。但是IBM和這些企業(yè)最大的不同在于，他沒有生產(chǎn)先進(jìn)邏輯制程芯片的晶圓廠。對(duì)于芯片制造行業(yè)來說，能夠量產(chǎn)芯片的晶圓廠就是“車”，IBM沒有車如何談彎道超車？

先把技術(shù)立在這 IBM歷史上沒少干

對(duì)于熟悉IBM的人來說，這次IBM 發(fā)布2nm芯片其實(shí)并不意外。比如2017年的時(shí)候，IBM展示了首個(gè)5nm制程芯片，而臺(tái)積電的5nm則要等到2019年了。這兩條消息放在一起看是不是感覺IBM在芯片制造行業(yè)超過臺(tái)積電了？但其實(shí)也跟這次一樣，IBM當(dāng)年發(fā)布的也是一個(gè)“實(shí)驗(yàn)室成果”，并非量產(chǎn)。

另外就像現(xiàn)在比較熱門的“碳基芯片”，雖然還是在研究階段，但很多人覺得國產(chǎn)芯片能在“碳基芯片”這個(gè)領(lǐng)域上彎道超車。

但熟悉IBM的人也會(huì)知道，2011年就有媒體報(bào)道稱IBM拿出了全球第一個(gè)通道長(zhǎng)度(柵極長(zhǎng)度)不足10nm的碳納米晶體管。在石墨烯方面，IBM做成了第一個(gè)兼容CMOS的石墨烯集成電路(倍頻器)，頻率最高可達(dá)5GHz，而且能夠在200℃高溫下穩(wěn)定工作。

因此在歷史上，IBM很喜歡做確立標(biāo)準(zhǔn)的人，但其它廠商采用不采用就是另一回事了。

IBM的“2nm芯片”不是量產(chǎn)

任何一種工藝從誕生之日起到最終的商業(yè)化都需要漫長(zhǎng)的良率爬升過程。而這次發(fā)布的2nm芯片來自IBM的半導(dǎo)體技術(shù)研究中心。也就是說這次發(fā)布的2nm是一個(gè)“實(shí)驗(yàn)室成果”，而并非一種商業(yè)量產(chǎn)。

有人可能會(huì)覺得“實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)物”下一步不就能量產(chǎn)了嗎？其實(shí)并不是，很多實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)物因?yàn)榻?jīng)濟(jì)或者其它因素的影響，最終擱置而不能走向商業(yè)化。

很多熟悉電腦的人可能都知道，現(xiàn)在的電腦多是以二級(jí)制為基礎(chǔ)?？墒乾F(xiàn)在應(yīng)該很少有人記得蘇聯(lián)的三進(jìn)制計(jì)算機(jī)了，這就是一個(gè)典型被擱置的研究項(xiàng)目。

IBM現(xiàn)在并沒有能夠生產(chǎn)這樣芯片的晶圓廠，因此他需要把技術(shù)推給其它廠商，讓其它廠商量產(chǎn)2nm芯片。而推給其它廠商帶來的問題就是，其它廠商不一定用他的技術(shù)。畢竟這些技術(shù)不是拿來就能用，而且還需要解決良率問題。所以本次IBM雖然發(fā)了一個(gè)2nm芯片，但這項(xiàng)技術(shù)未來是被采納為主流技術(shù)還是被歷史遺忘，都存在可能。

IBM的“2nm芯片”是個(gè)什么水平

咱們?cè)賮砹牧倪@次發(fā)布的2nm芯片在業(yè)界到底是個(gè)什么水平。首先在芯片行業(yè)中，如果能在一塊指定面積的芯片中塞入更多數(shù)量的晶體管，那么它的性能就會(huì)更強(qiáng)?，F(xiàn)在芯片工藝的發(fā)展方向也是這樣，通過更先進(jìn)的工藝把晶體管做小，這樣就能在芯片中塞入更多晶體管。所以就產(chǎn)生了一個(gè)可以粗略衡量芯片制造工藝的標(biāo)準(zhǔn)，晶體管密度。

此次IBM發(fā)布的2nm芯片晶體管密度為333 MTr，臺(tái)積電的3nm（N3）大致為291.2 MTr，而intel的5nm大致在292.2 MTr-343.7 MTr。

因此IBM發(fā)布的2nm芯片從晶體管密度上看水平應(yīng)該與臺(tái)積電的2nm相當(dāng)（強(qiáng)于臺(tái)積電3nm），有可能略遜與intel的5nm。

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