2021年4月25日,近日兆易創(chuàng)新發(fā)布了2020年年度報(bào)告。報(bào)告中可以看出兆易創(chuàng)新的主營業(yè)務(wù)毛利率在降低、在境外地區(qū)的主營業(yè)務(wù)毛利率也在降低。
而兆易創(chuàng)新則表示毛利率下降主要是受DRAM產(chǎn)品業(yè)務(wù)毛利率低的影響。
兆易創(chuàng)新宣稱自有品牌DRAM產(chǎn)品預(yù)計(jì)2021年上半年推出,主要面向消費(fèi)類、工業(yè)控制類及車規(guī)等利基市場。那么兆易創(chuàng)新能否靠此次推出的 DRAM 產(chǎn)品改變毛利率下降的局面呢?
筆者認(rèn)為不行:
在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域,兆易創(chuàng)新如果依靠NOR Flash提升毛利率效果有限,而目前NAND Flash難以與大廠抗衡,只能把希望放在DRAM產(chǎn)品上。
在DRAM產(chǎn)品方面, 兆易創(chuàng)新 目前是一個(gè)“代理商”的角色,出售的是合肥長鑫的DRAM。在芯片行業(yè)當(dāng)“代理商”毛利率低。
根據(jù)公告可以推測,今年兆易創(chuàng)新沒打算制造自己設(shè)計(jì)的DRAM芯片。
如果今年不能推出自己設(shè)計(jì)的DRAM芯片, “貼牌”或者“買芯片做模組”毛利率也不是很高,整體毛利率很難提升。
世界第三的NOR Flash廠商 兆易創(chuàng)新
2020年第一季度,旺宏、華邦、兆易創(chuàng)新在NOR Flash全球市場占有率排名前三,市場份額分別為26.2%、24.5%、18.8%。
兆易創(chuàng)新的現(xiàn)有業(yè)務(wù)布局分為存儲(chǔ)(Flash、DRAM)、MCU和傳感器,其中存儲(chǔ)芯片營收占比最高。而NOR Flash就屬于一種存儲(chǔ)芯片。
數(shù)據(jù)來自網(wǎng)絡(luò)
NOR Flash的優(yōu)勢:應(yīng)用范圍非常廣,比如汽車電子、IoT、人工智能、路由器、機(jī)頂盒、手機(jī)、PC、VR、5G等。
NOR Flash的劣勢:單價(jià)低,一個(gè)一般也就幾塊錢。而且一般情況下,一個(gè)設(shè)備也就用一塊NOR Flash。在使用數(shù)量少和單價(jià)低的共同影響下,NOR Flash的市場價(jià)值比起NAND之類的存儲(chǔ)芯片明顯小很多,屬于存儲(chǔ)芯片行業(yè)的小眾市場。
一款兆易創(chuàng)新 8Mb NOR Flash單價(jià)3.07元
以業(yè)界主流使用的8MB NOR Flash為例,售價(jià)僅為3元左右。對(duì)于很多數(shù)碼設(shè)備來說這樣的價(jià)格占總成本中的比重并不高。也因此NOR Flash看似參與到了很多行業(yè)中,但在存儲(chǔ)器市場中的占比遠(yuǎn)低于DRAM和NAND Flash。
因此如果想靠NOR Flash拉升毛利率,作用十分有限。
難以抗衡大廠的NAND Flash業(yè)務(wù)
兆易創(chuàng)新的 NAND Flash產(chǎn)品主要為SLC NAND,在NAND Flash產(chǎn)品方面,目前SLC NAND主流工藝節(jié)點(diǎn)在19nm-38nm,兆易創(chuàng)新的成熟工藝節(jié)點(diǎn)為38nm,同時(shí)24nm工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。目前正在量產(chǎn)的產(chǎn)品容量從1Gb至8Gb覆蓋主流容量范圍。
美光SLC NAND
但是,單顆NAND如果容量只在8Gb的話,對(duì)于大容量存儲(chǔ)還是不太夠的。以美光(Micron)的SLC NAND為例,美光提供的SLC NAND容量從1Gb至256Gb,這顯然是大于兆易創(chuàng)新的1Gb至8Gb。
除了大容量存儲(chǔ),其實(shí)還是有一些小容量存儲(chǔ)使用NAND的場景,在這些場景下兆易創(chuàng)新的NAND還是可以發(fā)揮優(yōu)勢的。但總體來說NAND市場還是屬于像美光、海力士、三星這樣大廠的天下。
自研DRAM 2021年未必會(huì)出現(xiàn)
兆易創(chuàng)新目前在DRAM業(yè)務(wù)方面是一個(gè)“代理商”。兆易創(chuàng)新目前銷售的DRAM是合肥長鑫的,兆易創(chuàng)新從2020年開始銷售合肥長鑫DRAM產(chǎn)品。
早在2020年3月兆易創(chuàng)新就與長鑫存儲(chǔ)及其各自子公司簽署《框架采購協(xié)議》、《代工服務(wù)協(xié)議》及《產(chǎn)品聯(lián)合開發(fā)平臺(tái)合作協(xié)議》日常交易框架協(xié)議。
《框架采購協(xié)議》就是指兆易創(chuàng)新向合肥長鑫DRAM采購DRAM產(chǎn)品。而《代工服務(wù)協(xié)議》則是指合肥長鑫向兆易創(chuàng)新提供代工服務(wù)。
兆易創(chuàng)新是一個(gè)無廠模式(Fabless)運(yùn)營的芯片公司,無廠模式簡單來說就是只管芯片設(shè)計(jì),不管芯片制造的公司。因此兆易創(chuàng)新想要生產(chǎn)任何芯片都需要找晶圓廠代工。
而此次簽署的《代工服務(wù)協(xié)議》就是為了以后自研DRAM設(shè)計(jì)完成之后找合肥長鑫進(jìn)行代工生產(chǎn)。而在之后的補(bǔ)充協(xié)議中又將這三大協(xié)議的有效期延展到了2030年,可以據(jù)此推測至少近幾年內(nèi)兆易創(chuàng)新如果想制造DRAM都會(huì)找長鑫代工了。
那么為什么說兆易創(chuàng)新自研的DRAM 2021年未必會(huì)出現(xiàn)呢?
出自兆易創(chuàng)新2020年3月的公告
公告中顯示,在2020年預(yù)計(jì)接受代工服務(wù)涉及的金額為0,也就是說2020年兆易創(chuàng)新并不打算讓合肥長鑫代工生產(chǎn)芯片。在后續(xù)的投資者關(guān)系活動(dòng)中的回答的內(nèi)容也證明了這點(diǎn)。
在2020年3月的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表中我們可以找到原因。在其中一條回答中稱“因?yàn)楣镜腄RAM產(chǎn)品還沒有研發(fā)出來,所以代工業(yè)務(wù)2020年暫時(shí)無金額。”
在2021年2月,兆易創(chuàng)新發(fā)布了《關(guān)于擬簽署框架采購協(xié)議及預(yù)計(jì)2021年度日常關(guān)聯(lián)交易額度的公告》。
出自兆易創(chuàng)新2021年2月的公告
這個(gè)公告主要就是為了公示與長鑫日常關(guān)聯(lián)交易的預(yù)計(jì)金額,可能有些人也注意到了,此次公示中原來的“三大協(xié)議”少了一個(gè),而且少的就是之前金額為0的《代工服務(wù)協(xié)議》。
為什么會(huì)少一個(gè)《代工服務(wù)協(xié)議》的預(yù)算呢?如果說2021年這個(gè)協(xié)議的預(yù)算也為0,那么沒有這方面的預(yù)算確實(shí)可以理解。如果有這方面的預(yù)算,但是不公示,這種可能性就比較小了。
那么如果《代工服務(wù)協(xié)議》今年的預(yù)算真為0,那么意味著什么呢?
兆易創(chuàng)新今年沒打算讓長鑫“代工”生產(chǎn)DRAM芯片。
這不免讓疑惑,難道今年兆易創(chuàng)新自研的DRAM不生產(chǎn)了嗎?而且上年實(shí)際從長鑫采購的DRAM產(chǎn)品金額為0.54億美元,今年就直接預(yù)計(jì)3億美元。兆易創(chuàng)新給出的理由為“市場需求旺盛,市場開拓空間進(jìn)一步提升,公司備貨水平相應(yīng)提高”。不過今年如果能如期推出自己的DRAM產(chǎn)品,為什么還要去找長鑫加大備貨量呢?賣自己的產(chǎn)品,毛利率還能高一點(diǎn),不香嗎?因此兆易創(chuàng)新自研DRAM 2021年未必會(huì)出現(xiàn)。
不過有些細(xì)心的人可能會(huì)發(fā)現(xiàn),兆易創(chuàng)新基本沒怎么提過“自研”的事。兆易創(chuàng)新無論是在年報(bào)上還是在投資者關(guān)系活動(dòng)上,所用的表述都是“自有品牌”。“預(yù)計(jì)將于2021年上半年推出第一顆自有品牌的DRAM產(chǎn)品”。
“自有品牌”范圍可就大了,除了“自研”以外,還可以買長鑫的芯片自己做模組,或者買長鑫的產(chǎn)品“貼牌”出售。
如果是買長鑫的芯片自己做模組,買芯片的交易額走的是“采購Dram產(chǎn)品”(就預(yù)算大幅上漲的那個(gè)),而且做出來的模組確實(shí)可以算“自有品牌的DRAM產(chǎn)品”。
能破局嗎?
一般來說在芯片行業(yè),代售其它廠家的芯片毛利率始終是不會(huì)高的。就像現(xiàn)在兆易創(chuàng)新代售長鑫的DRAM。而提高毛利率的最簡單途徑,就是自研。如果說2021年上半年推出的DRAM產(chǎn)品是自研的,比如兆易創(chuàng)新設(shè)計(jì),長鑫制造。那么毛利率肯定會(huì)提升。但如果只是貼牌或者做模組的話,那毛利率可能就會(huì)表現(xiàn)得比較一般了。
補(bǔ)充資料:存儲(chǔ)芯片
作為補(bǔ)充說明,我們來聊聊存儲(chǔ)芯片是如何存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。在遠(yuǎn)古時(shí)期,人們可以通過結(jié)繩記事的方式記錄信息。而在現(xiàn)代,晶體管出現(xiàn)了,人們可以把大量數(shù)據(jù)存在芯片里了。
我們來假設(shè)一下,在結(jié)繩記事的時(shí)代,如果繩子的一個(gè)地方打一個(gè)結(jié),就代表早上吃過飯了。如果這個(gè)地方?jīng)]有結(jié),那么就說明早上沒吃飯。那么“早上吃沒吃過飯”這個(gè)信息就通過簡單的一個(gè)結(jié)記錄了下來。
而到了現(xiàn)代,數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)很多是用“0”和“1”來構(gòu)成的。那么如何記錄下0和1呢?這時(shí)候我們肯定不能在芯片里像結(jié)繩記事那樣打結(jié),但有類似的方式記錄,比如電壓。電壓高時(shí)可以記做1,電壓低時(shí)可以記做0。
而對(duì)應(yīng)芯片的存儲(chǔ)單元也會(huì)被設(shè)計(jì)成能夠存儲(chǔ)高電壓或者低電壓信息的結(jié)構(gòu),就像結(jié)繩記事里的結(jié)。
一種存儲(chǔ)單元
在如圖所示的結(jié)構(gòu)中,如果我們把電荷放在存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)電容器中,這就可以使晶體管導(dǎo)電,電荷傳至位線,使電壓上升。這時(shí)就是高電壓狀態(tài),表示數(shù)據(jù)為“1”。
注:除了電壓以外還可以通過:磁、電阻等介質(zhì)來存儲(chǔ)信息。
而根據(jù)存儲(chǔ)的具體方式不同,存儲(chǔ)芯片又能分成很多種類。NOR Flash、NAND Flash和DRAM是三種不同的存儲(chǔ)芯片,其中NOR Flash、NAND Flash屬于非易失性存儲(chǔ)芯片,DRAM屬于易失性存儲(chǔ)芯片。
簡單來說兩者的區(qū)別在于斷電之后能否保存數(shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)斷電之后不能保存數(shù)據(jù),里面的數(shù)據(jù)只能臨時(shí)存放。以電腦上的內(nèi)存條為例,內(nèi)存條上的存儲(chǔ)顆粒就屬于DRAM。
DDR4內(nèi)存條 截取自金士頓官網(wǎng)
而非易失性存儲(chǔ)的特點(diǎn)就是斷電之后依舊能保存數(shù)據(jù),里面的數(shù)據(jù)可以長期存儲(chǔ)。以電腦上的固態(tài)硬盤為例,固態(tài)硬盤上的存儲(chǔ)顆粒大多為NAND Flash。
UV500 SATA 固態(tài)硬盤(mSATA)截取自金士頓官網(wǎng)
NAND Flash可以再細(xì)分成SLC(Single-Level Cell)、MLC(Multi-Level Cell)、TLC(Trinary-Level Cell)、QLC(Quad-Level Cell)等。就像我們平時(shí)說買一塊TLC的固態(tài),TLC指的就是固態(tài)硬盤所用的NAND Flash類型為TLC。
另一種非易失性存儲(chǔ)是 NOR Flash ,NOR Flash一次讀寫一個(gè)字或字節(jié)的數(shù)據(jù),因此能夠?qū)Ω鞯刂穲?zhí)行隨機(jī)存取。而NAND Flash芯片的尺寸比NOR Flash小,能夠?qū)崿F(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度,使存儲(chǔ)容量更大,且制造成本更低。因此NAND Flash已成為大容量存儲(chǔ)設(shè)備的主流選擇,除了前文提到的固態(tài)硬盤,還有U盤、SD卡等。而NOR Flash則一般用于存儲(chǔ)一些小數(shù)據(jù),比如配置信息。電腦主板中的BIOS信息就會(huì)存儲(chǔ)在NOR Flash中。
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