1月3日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在芯片制造工藝方面，為蘋(píng)果、華為等制造芯片的臺(tái)積電近幾年走在行業(yè)的前列，率先量產(chǎn)了7nm工藝，更先進(jìn)的5nm工藝預(yù)計(jì)在今年一季度投產(chǎn)。

但在下一代的3nm芯片制造工藝方面，臺(tái)積電可能會(huì)有來(lái)自三星的挑戰(zhàn)，后者擬率先使用這一先進(jìn)的工藝制造芯片。

外媒是在三星電子實(shí)際領(lǐng)導(dǎo)人李在镕參觀韓國(guó)京畿道華城的半導(dǎo)體研發(fā)中心的報(bào)道中，透露三星擬率先量產(chǎn)3nm工藝的，在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四的這一次參觀中，李在镕他們討論了成為全球首個(gè)利用3nm工藝制造芯片的戰(zhàn)略。

從外媒的報(bào)道來(lái)看，三星電子的3nm制程工藝，將采用GAA架構(gòu)，這一架構(gòu)也是目前FinFET技術(shù)的繼任者，能使芯片制造商發(fā)展到微芯片的工藝范圍。

在3nm的工藝量產(chǎn)之前，三星還需要量產(chǎn)5nm工藝，三星在去年4月份完成了基于EUV技術(shù)的5nm FinFET制程技術(shù)的研發(fā)，預(yù)計(jì)在今年上半年能夠大規(guī)模量產(chǎn)。

三星方面表示，同5nm制程工藝相比，3nm GAA技術(shù)能使芯片的理論面積縮小35%，能耗則能降低50%，性能則會(huì)提高30%。

周四參觀華城的半導(dǎo)體研發(fā)中心，是三星電子披露的李在镕在2020年的首個(gè)官方行程，三星的發(fā)言人表示，李在镕再次參觀華城的報(bào)道體研發(fā)中心，凸顯了三星電子成為頂級(jí)非存儲(chǔ)芯片制造商的決心。

亞馬遜、Facebook等沒(méi)有芯片制造能力的科技巨頭們都已開(kāi)始自研AI芯片和數(shù)據(jù)中心芯片，以更好的適應(yīng)自身業(yè)務(wù)的發(fā)展，這也將導(dǎo)致對(duì)芯片制造需求的增加，三星已看好這一領(lǐng)域的發(fā)展，準(zhǔn)備增加在芯片制造方面的投資，去年年底，三星電子已宣布計(jì)劃未來(lái)10年投資133萬(wàn)億韓元，折合約1147億美元，用于發(fā)展芯片制造業(yè)務(wù)。

生成海報(bào)

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來(lái)自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請(qǐng)進(jìn)一步核實(shí)，并對(duì)任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對(duì)有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁(yè)或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí)，應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書(shū)面權(quán)利通知或不實(shí)情況說(shuō)明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開(kāi)相關(guān)鏈接。