12月11日消息，據(jù)國外媒體報道，芯片巨頭英特爾在10nm和7nm工藝方面，并未跟上競爭對手的節(jié)奏，其目前在芯片工藝方面也落后于臺積電和三星。

不過在10nm和7nm方面落后于競爭對手的英特爾，對未來還是有著清晰的計劃，其在未來10年的技術路線圖已經(jīng)被披露，將保持兩年一次升級的節(jié)奏。

英特爾未來十年的技術路線圖，是由光刻機廠商阿斯麥的首席技術官Martin van den Brink在國際電子器件大會上披露的，由IEEE（電氣和電子工程師協(xié)會）所舉辦的這一大會在本周舉行。

阿斯麥所披露的英特爾未來十年技術路線圖顯示，英特爾今年將開始采用10nm工藝，2020年是10++工藝，2021年則會推出10nm+++工藝。

10nm之后的7nm工藝將在2021年開始采用，7nm+和7nm++則會在隨后的兩年分別推出。對于7nm工藝，英特爾首席工程官兼技術、系統(tǒng)架構和客戶部門總裁默西·倫杜琴塔拉(MurthyRenduchintala)在去年12月份曾透露，這一工藝是由一個獨立的團隊負責，他們將汲取在10nm工藝上的教訓，打算按內(nèi)部最初的計劃量產(chǎn)7nm工藝，他們對7nm工藝的進展也非常滿意。

技術路線圖顯示，7nm之后更先進的5nm、3nm、2nm和1.4nm，也已進入了英特爾的視野，其中5nm、3nm和2nm目前都處在路線發(fā)現(xiàn)階段，分別計劃在2023年、2025年和2027年采用，2029年擬推出的是1.4nm。

同10nm和7nm工藝一樣，5nm、3nm和2nm工藝也會有升級版，將分別推出“+”和“++”工藝，均會在隨后的兩年推出。

就從ASML披露的技術路線圖來看，在10nm和7nm工藝方面落后于臺積電的英特爾，5nm和3nm工藝的采用時間，也將晚于臺積電。臺積電5nm工藝的良品率目前已經(jīng)提升到了50%，預計明年一季度量產(chǎn)，3nm則是計劃在2022年量產(chǎn)，均要早于英特爾3年。

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