（原標(biāo)題：智能手機(jī)史上首次漲價(jià)潮背后 全球存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)格局生變）

存儲(chǔ)器漲價(jià)從2016年下半年開始，根據(jù)IC　Insights的預(yù)計(jì)，2017年內(nèi)存（DRAM）價(jià)格漲幅將達(dá)到39%，閃存（Flash）漲幅也有望達(dá)到25%。這是由于需求增長(zhǎng)和供給收縮。一方面，國(guó)產(chǎn)品牌手機(jī)出貨量持續(xù)增長(zhǎng)，以及新一代iPhone產(chǎn)品推出，存儲(chǔ)器產(chǎn)能正被大量消耗；另一方面，以三星、海力士為代表的企業(yè)正投入一場(chǎng)存儲(chǔ)器創(chuàng)新競(jìng)賽，將二維閃存（2D　NAND　Flash）轉(zhuǎn)移至三維閃存（3D　NAND　Flash）的技術(shù)革命，這導(dǎo)致產(chǎn)能增長(zhǎng)放緩。

這是一個(gè)得存儲(chǔ)器者得天下的時(shí)代。存儲(chǔ)器被普遍稱為“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的皇冠”。如今正成為手機(jī)、電腦等產(chǎn)品硬件配置升級(jí)的重要賣點(diǎn)。在全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的寡頭競(jìng)爭(zhēng)中，隨著存儲(chǔ)器價(jià)格攀升，三星成為最大贏家，一路高歌猛進(jìn)，而由此巨虧的東芝（Toshi-ba）半導(dǎo)體卻陷入尷尬境地。同時(shí)，漲價(jià)侵蝕著原本競(jìng)爭(zhēng)激烈、利潤(rùn)微薄的智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)，一路打價(jià)格戰(zhàn)的智能手機(jī)企業(yè)橫迎來(lái)史上首次漲價(jià)潮。

在這樣的格局中，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器正在南京、武漢、晉江三地建構(gòu)著三足鼎立之勢(shì)。國(guó)家已經(jīng)下定決心發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，通過(guò)自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭，在全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵時(shí)刻，能否實(shí)現(xiàn)“彎道超車”？

寡頭格局

存儲(chǔ)器是幾乎所有電子產(chǎn)品的關(guān)鍵元器件，承擔(dān)著信息記憶的功能。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照產(chǎn)品類型可分為內(nèi)存（DRAM）和閃存（Flash）兩大類。電子產(chǎn)品斷電后，DRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失，F(xiàn)lash則不會(huì)消失，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)會(huì)保留下來(lái)，供下次使用。

DRAM常見(jiàn)的產(chǎn)品形態(tài)主要是內(nèi)存條，F(xiàn)lash在生活中隨處可見(jiàn)，主要包括micro　SD卡、UFS（通用閃存存儲(chǔ)）、EMMC（嵌入式多媒體存儲(chǔ)卡）、U盤、SSD（固態(tài)硬盤）等。存儲(chǔ)器應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，覆蓋范圍從消費(fèi)電子到工業(yè)、汽車、航空航天、軍事、醫(yī)療等各個(gè)領(lǐng)域。

存儲(chǔ)器屬于半導(dǎo)體三大產(chǎn)品類別之一，市場(chǎng)規(guī)模巨大，約占全球半導(dǎo)體總產(chǎn)值的23%。數(shù)據(jù)顯示，2015年全球 DRAM產(chǎn)值約450億美元，全球NAND閃存市場(chǎng)規(guī)模約為300億美元，DRAM和NAND閃存總產(chǎn)值在全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的比重高達(dá)95%。同時(shí)，存儲(chǔ)器是標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)品，從歷史上看，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)隨著庫(kù)存、需求、產(chǎn)能等因素變化具有明顯的周期性，而且存儲(chǔ)器毛利率隨著行業(yè)周期性波動(dòng)而劇烈變動(dòng)。

關(guān)鍵的是，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的高度集中下，全球呈現(xiàn)寡頭競(jìng)爭(zhēng)格局。DRAM的主要市場(chǎng)玩家有限，主要包括三星、SK海力士、美光等企業(yè)，韓國(guó)目前為全球第一大存儲(chǔ)器制造國(guó)。根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，截至2016年三季度，全球NAND　Flash市場(chǎng)份額分布為三星（37%）、東芝（20%）、閃迪（17%）、美光（10%）、海力士（10%）、英特爾（6%），全球DRAM市場(chǎng)份額分布為三星（50.2%）、海力士（24.8%）、美光（18.5%）、南亞（3.1%）、華邦電子（1.7%）、力晶科技（0.6%）、其他（1.2%）。內(nèi)存模組廠商包括金士頓、美光等，金士頓是全球第一大內(nèi)存模組廠商，2015年市占率高達(dá)68%。

隨著文字、圖片、語(yǔ)音、視頻等多種類型的數(shù)據(jù)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器在消費(fèi)電子產(chǎn)品中的地位越來(lái)越重要，同時(shí)也是手機(jī)、電腦等產(chǎn)品硬件配置升級(jí)的重要賣點(diǎn)。目前筆記本電腦內(nèi)存容量一般為2G～16G，閃存容量為64G～512G，智能手機(jī)內(nèi)存容量為2G～8G，閃存容量為16G～256G。同一個(gè)廠家推出的同一款智能手機(jī)僅僅因?yàn)榇鎯?chǔ)器容量的不同，價(jià)格可能相差數(shù)百元到一兩千元。由此可見(jiàn)存儲(chǔ)器對(duì)消費(fèi)電子產(chǎn)品的重要性。

從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史看，在上個(gè)世紀(jì)，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了從美國(guó)到日本再到韓國(guó)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移過(guò)程。存儲(chǔ)器最早起源于美國(guó)，20世紀(jì)50年代美國(guó)開發(fā)出全球首個(gè)DRAM芯片，美國(guó)曾在DRAM領(lǐng)域長(zhǎng)期保持領(lǐng)頭羊的地位。為了集中力量發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，日本政府在70年代中期聯(lián)合日立、東芝、富士通等五家日本最大的計(jì)算機(jī)公司成立超大規(guī)模集成電路研究協(xié)會(huì)，到80年代中期日本存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)趕超美國(guó) 。韓國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)以三星為代表，三星從20世紀(jì)80年代初期進(jìn)入集成電路產(chǎn)業(yè)，在國(guó)外的技術(shù)授權(quán)許可下，通過(guò)10年的自主研發(fā)創(chuàng)新和不懈努力，在1994年成為全球第一的內(nèi)存制造商和第七大半導(dǎo)體制造商。

漲價(jià)背后

2016年下半年開始，存儲(chǔ)器市場(chǎng)出現(xiàn)供需缺口，需求量持續(xù)增長(zhǎng)。智能手機(jī)和服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存和SSD需求旺盛，特別是國(guó)產(chǎn)品牌手機(jī)出貨量持續(xù)大幅增長(zhǎng)，新一代iPhone產(chǎn)品的推出，需要消耗大量的存儲(chǔ)器產(chǎn)能，同時(shí)數(shù)據(jù)中心建設(shè)帶動(dòng)服務(wù)器用存儲(chǔ)器持續(xù)增長(zhǎng)，固態(tài)硬盤在PC中替代機(jī)械硬盤也增加了對(duì)NAND閃存的需求。

供給持續(xù)收縮。三星、海力士等企業(yè)正逐步將2D　NAND　Flash（二維閃存）轉(zhuǎn)移至3D　NAND　Flash（三維閃存），2D　NAND　Flash基本停止擴(kuò)產(chǎn)。3D　NAND　Flash作為一種新興的存儲(chǔ)器，擴(kuò)產(chǎn)需要較長(zhǎng)時(shí)間，閃存產(chǎn)能增長(zhǎng)幅度放緩。全球主要閃存廠商的3D　NAND　Flash目前產(chǎn)出超過(guò)NAND閃存產(chǎn)量的一半。目前DRAM生產(chǎn)工藝微縮進(jìn)入到20納米節(jié)點(diǎn)，工藝制程繼續(xù)微縮、良率提升的難度急劇上升，經(jīng)濟(jì)效益不好，因此，各大DRAM廠對(duì)先進(jìn)技術(shù)開發(fā)、資本支出持保守態(tài)度，DRAM總體產(chǎn)能增長(zhǎng)大幅放緩，DRAM供給相對(duì)穩(wěn)定。預(yù)計(jì)到2018年，隨著3D　NAND　Flash產(chǎn)能和良率不斷提升以及新增產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)，存儲(chǔ)器供應(yīng)緊張局面有望緩解。

這一輪漲價(jià)或改變?nèi)虼鎯?chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)格局。三星成為存儲(chǔ)器漲價(jià)的最大贏家，三星有望在2017年超越英特爾，成為全球半導(dǎo)體龍頭。從去年三季度以來(lái)，存儲(chǔ)器漲價(jià)扭轉(zhuǎn)了三星在Note　7手機(jī)大量召回帶來(lái)的不利局面。根據(jù)IC　In-sights的數(shù)據(jù)，今年二季度，存儲(chǔ)器持續(xù)漲價(jià)推動(dòng)三星半導(dǎo)體部門營(yíng)收創(chuàng)出新高，有望達(dá)到149億美元，高于英特爾的144億美元（預(yù)估值）。我們預(yù)計(jì)三星在未來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間將主導(dǎo)全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的定價(jià)權(quán)。

與三星半導(dǎo)體高歌猛進(jìn)不同的是，東芝（Toshiba）半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展陷入了尷尬境地。東芝公司的2016年財(cái)報(bào)顯示，公司在美國(guó)發(fā)展的核電業(yè)務(wù)出現(xiàn)了巨虧。為扭轉(zhuǎn)不利局面，東芝管理層欲出售半導(dǎo)體閃存業(yè)務(wù)。業(yè)界認(rèn)為，東芝閃存業(yè)務(wù)售價(jià)將在180億美元以上。目前，博通（Broadcom）、臺(tái)灣鴻海、SK海力士以及西部數(shù)據(jù)（WD）等公司都對(duì)競(jìng)購(gòu)表示出了濃厚興趣。更新的消息是，蘋果和亞馬遜將聯(lián)手臺(tái)灣鴻海競(jìng)購(gòu)東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

究竟花落誰(shuí)家，或許6月中下旬市場(chǎng)就會(huì)給出答案。這也反映出，在全球范圍內(nèi)，半導(dǎo)體閃存資產(chǎn)仍是一塊炙手可熱的香餑餑。

漲價(jià)對(duì)下游智能手機(jī)和PC廠商來(lái)說(shuō)十分不利。存儲(chǔ)器漲價(jià)大幅增加了智能手機(jī)和PC廠商的成本，特別是存儲(chǔ)器成本占比相對(duì)較高的中低端智能手機(jī)，侵蝕了競(jìng)爭(zhēng)激烈、利潤(rùn)微薄的智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)，PC廠商則面臨PC出貨下滑與存儲(chǔ)器供給嚴(yán)重不足的雙重壓力。

目前部分智能手機(jī)已經(jīng)漲價(jià)，幅度在100～500元不等，改變了智能手機(jī)以前一直降價(jià)的歷史。蘋果新機(jī)型6月初正式進(jìn)入量產(chǎn)，服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器需求持續(xù)增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)品牌手機(jī)進(jìn)入銷售旺季，這些因素均加劇了存儲(chǔ)器的供應(yīng)緊張程度，部分智能手機(jī)廠商拿貨可能延遲甚至短期內(nèi)拿不到貨。根據(jù)IC　Insights的預(yù)計(jì)，2017年DRAM價(jià)格漲幅將達(dá)到39%，閃存（Flash）漲幅也有望達(dá)到25%。對(duì)PC廠商而言，SSD取代普通硬盤是趨勢(shì)，PC行業(yè)近年來(lái)增速放緩，訂單不穩(wěn)定也導(dǎo)致存儲(chǔ)器廠商不太愿意投入資源在PC用存儲(chǔ)器上。

中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)起步較晚，我國(guó)作為全球最重要的存儲(chǔ)器市場(chǎng)，在國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過(guò)自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭，有望實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”，在全球競(jìng)爭(zhēng)中占有一席之地。

目前已形成南京、武漢、晉江三足鼎立之勢(shì)。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器目前主要依靠進(jìn)口，根據(jù)電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)的數(shù)據(jù)，我國(guó)每年進(jìn)口的存儲(chǔ)器金額約為600億美元。為此，國(guó)家下定決心發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)。2016年7月，紫光控股、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北國(guó)芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）和湖北省科技投資集團(tuán)共同出資240億美元成立了長(zhǎng)江存儲(chǔ)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要從事3D　NAND　Flash的芯片與制造，旗下?lián)碛腥Y子公司武漢新芯。武漢新芯成立于2006年，2008年開始量產(chǎn)，擁有12英寸集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力，其閃存與影像傳感器制造技術(shù)位居世界前列，并且布局了物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，同時(shí)從事SOC、三維集成、MCU平臺(tái)等工藝技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn)。

生成海報(bào)

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來(lái)自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請(qǐng)進(jìn)一步核實(shí)，并對(duì)任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對(duì)有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁(yè)或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí)，應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實(shí)情況說(shuō)明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。