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    從2021MWC看存儲器發(fā)展 走向更快更耐用

    在2020年里受到疫情影響,全球范圍內(nèi)不知撤銷了多少個(gè)重要展會,眾多科技產(chǎn)品只能通過線上方式與消費(fèi)者見面。不過隨著疫情緩和,展會得以重新召開,最近幾天2021 MWC Shanghai正在密鑼緊鼓進(jìn)行中。MWC是一個(gè)以通訊設(shè)備為核心展會,但通訊離不開存儲器支持,隨著5G網(wǎng)絡(luò)普及,帶動(dòng)了硬件設(shè)備更新?lián)Q代,需要速度更快、耐用性更好的存儲器。

    從2021MWC看存儲器發(fā)展 走向更快更耐用

    今天存儲器市場已經(jīng)是閃存的主場了,對于追求便攜性的智能手機(jī)、平板電腦來說,閃存更是占據(jù)了壟斷地位。在2021MWC上一大亮點(diǎn)是5G毫米波技術(shù),相比目前國內(nèi)常用的Sub-6GHz頻段,5G毫米波現(xiàn)場速度實(shí)測達(dá)到了4Gbps以上,是目前國內(nèi)常用的Sub-6GHz頻段10倍以上,其普及相信有助于帶動(dòng)高幀率4K視頻以及8K視頻實(shí)用化。

    從2021MWC看存儲器發(fā)展 走向更快更耐用

    高幀率4K視頻、8K視頻碼率更高,需要更高性能存儲器支撐,在去年業(yè)界已經(jīng)開始供應(yīng)高性能閃存。比如西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU521,它的設(shè)計(jì)可優(yōu)化5G手機(jī)和平板電腦的體驗(yàn),是一款使用UFS 3.1(Gear 4/2 Lanes)接口的產(chǎn)品,支持全雙工傳輸,應(yīng)用了WriteBooster和第六代SmartSLC技術(shù),大大提升了順序?qū)懭胨俣?,達(dá)到了800MB/s。同時(shí)它封裝大小僅為11.5x13x1.0mm,提供128GB、256GB兩種容量,能很好滿足旗艦手機(jī)需求。

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    手機(jī)只是其中一個(gè)受5G普及影響的設(shè)備,不少物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備也在5G網(wǎng)絡(luò)帶動(dòng)下發(fā)展,需要更高性能以及更具可靠性的存儲器,比如監(jiān)控?cái)z像頭、路由器。

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    為此西部數(shù)據(jù)也有對應(yīng)產(chǎn)品,iNAND IX EM132是西部數(shù)據(jù)首款面向工業(yè)與物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的e.MMC嵌入式閃存盤,它采用了 64 層 BiCS3 3D TLC NAND閃存顆粒與自家的主控方案,采用eMMC 5.1 HS400 接口,順序讀取/寫入速度達(dá)到了310MB/s、150MB/s,支持高級ECC糾錯(cuò)、磨損均衡、壞塊管理、以及重放保護(hù)存儲塊(RPMB)一系列提升可靠性的功能,全系列壽命達(dá)到了693 TBW,是普通家用512GB SSD兩倍多。

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    手機(jī)、平板電腦、路由器、基站已是MWC上常見的產(chǎn)品了,但隨著車聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展,汽車與通訊技術(shù)緊密結(jié)合在一起,高通展臺上就出現(xiàn)了一輛理想One。

    從2021MWC看存儲器發(fā)展 走向更快更耐用

    在車聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛技術(shù)驅(qū)動(dòng)下,車輛計(jì)算能力大幅度提升,尤其是后者對算力、IO性能、存儲器性能提出很高要求。比如說特斯拉Model 3,實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)版自動(dòng)輔助駕駛(EAP)功能時(shí)需要調(diào)用車輛上8個(gè)攝像頭,會產(chǎn)生大量需要實(shí)時(shí)處理的數(shù)據(jù),需要更強(qiáng)處理器,更大容量、更快的存儲器。與此同時(shí),自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展非常迅速,以車載傳感器為例,市場研究公司Yole Developpement在《2020年自動(dòng)駕駛傳感器報(bào)告》中預(yù)測,車載傳感器在未來15年間將以51%年復(fù)合成長率增長,將會帶動(dòng)車載存儲器飛速發(fā)展。

    在蓬勃發(fā)展車聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛技術(shù)前,西部數(shù)據(jù)自然不會甘居人后,在去年底拿出基于SLC顆粒的IX SN530。在PC市場,SLC SSD已經(jīng)是一種堪比大熊貓的存在,但其出色可靠性、耐用性仍受到工業(yè)、車載市場青睞,而后面二者可承受的價(jià)格也遠(yuǎn)高于PC市場。IX SN530提供了M.2 2280、M.2 2230兩種規(guī)格產(chǎn)品,長度分別是80mm、30mm,支持PCIe 3.0 x4、NVMe 1.4技術(shù),同時(shí)提供SLC、TLC不同顆粒版本,其中SLC版有85GB、170GB、340GB三種容量,最高讀寫速度分別為2,400MB/s、1,950MB/s,而TLC擁有和SLC幾乎相當(dāng)?shù)淖罡咦x寫速度,持續(xù)寫速度也可達(dá)最高540MB/s。在壽命方面,SLC版非常驚人,最高容量340GB壽命達(dá)到了24000TBW,而TLC最高容量2TB壽命為5200TBW。

    從2021MWC看存儲器發(fā)展 走向更快更耐用

    除了性能、壽命外,車載環(huán)境更為惡劣,人們可能駕車登上海拔達(dá)到5000多米的珠峰大本營,也可能駛向雪鄉(xiāng),經(jīng)歷零下四五十?dāng)z氏度低溫。西部數(shù)據(jù)IX SN530非常強(qiáng)調(diào)環(huán)境適應(yīng)能力,可在-40℃到85℃的溫度范圍以及-460米到12200米的海拔間正常工作,能夠承受20g震動(dòng)或是1500G的沖擊,在55℃高溫能保障數(shù)據(jù)安全存儲1年,平均故障間隔時(shí)間長達(dá)300萬小時(shí),還具備端到端數(shù)據(jù)保護(hù)、3-gear LDPC糾錯(cuò)引擎、NAND XOR保護(hù)多重頁面恢復(fù)、自動(dòng)數(shù)據(jù)刷新等一系列技術(shù)。

    除了持續(xù)推出新品,西部數(shù)據(jù)還非常注重閃存芯片,在今年2月初與合作伙伴鎧俠聯(lián)合研發(fā)出第六代162層3D閃存技術(shù),得益于八層交錯(cuò)式存儲孔陣列,其橫向單元陣列密度比第五代技術(shù)提高了約10%,比112層堆疊技術(shù)相比,實(shí)現(xiàn)相同容量減少40%面積,進(jìn)一步優(yōu)化了成本,加上陣列CMOS電路布局和四路同時(shí)操作,讀取延遲減少約10%,I/O性能也提高了約66%。

    從2021MWC看存儲器發(fā)展 走向更快更耐用

    在MWC上我們看到業(yè)界積極擁抱5G毫米波、車聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛等新技術(shù),這些技術(shù)應(yīng)用勢必會提升基礎(chǔ)硬件進(jìn)步,市場不僅需要更高性能的處理器,而且對儲存器要求變得越來越高,除了高性能、高容量外,長壽命、高可靠性、高耐用度也變得越發(fā)重要,而且我們也期待西部數(shù)據(jù)的一系列的產(chǎn)品及應(yīng)用解決方案能滿足各類行業(yè)的需求,來幫助各個(gè)領(lǐng)域提升效率,加快技術(shù)更新和發(fā)展。

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