中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,以下簡稱“UAES”)與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM Co., Ltd.,以下簡稱“羅姆”)在中國上海的UAES總部成立了“SiC技術(shù)聯(lián)合實驗室”,并于2020年10月舉行了啟動儀式。

UAES副總經(jīng)理 郭曉潞(右)與羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司 董事長 藤村 雷太(左)在啟動儀式上互贈紀(jì)念品

與IGBT*1等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件具有“開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗*2小”、“耐溫度變化能力強”等優(yōu)勢,因而作為一種能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體,在電動汽車以及基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源、工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。

UAES和羅姆自2015年開始技術(shù)交流以來,雙方在采用SiC功率元器件的車載應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)方面建立了合作伙伴關(guān)系。經(jīng)過多年的技術(shù)交流,采用了羅姆SiC功率元器件的UAES車載產(chǎn)品于今年成功投入量產(chǎn)。

此次成立的聯(lián)合實驗室配備了重要設(shè)備,包括能夠?qū)囕d充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等車載應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)行整機評估的測試設(shè)備、以及能夠進(jìn)行元器件評估的測試裝置等。

未來,雙方將會進(jìn)一步加強合作關(guān)系,并加快以SiC為核心的創(chuàng)新型電源解決方案的開發(fā)。

UAES副總經(jīng)理 郭曉潞表示:“自2015年羅姆為UAES推介SiC功率元器件產(chǎn)品以來,雙方包括高層在內(nèi)的交流不斷加深。作為多年技術(shù)交流的成果,UAES開發(fā)出采用了SiC的車載應(yīng)用并在今年成功實現(xiàn)量產(chǎn),對此我們表示非常高興。該聯(lián)合實驗室的成立,表明兩家公司之間的合作關(guān)系進(jìn)一步加深,我們期待通過完善的設(shè)備,得到更出色的技術(shù)支持。”

羅姆董事高級執(zhí)行官CSO兼功率元器件業(yè)務(wù)統(tǒng)括 伊野和英博士表示:“我們很高興能夠與車載應(yīng)用領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)——UAES成立聯(lián)合實驗室。作為SiC功率元器件的先進(jìn)廠商,羅姆正在推進(jìn)行業(yè)先進(jìn)的元器件開發(fā),同時,通過與驅(qū)動IC等外圍元器件相結(jié)合的電源解決方案,獲得了傲人的實際應(yīng)用業(yè)績。未來,在市場有望繼續(xù)擴大的車載領(lǐng)域,把握客戶需求和市場動向的研究將是非常重要的要素,因此,雙方將通過聯(lián)合實驗室加強合作關(guān)系,并憑借以SiC為核心的電源解決方案為汽車技術(shù)革新做出貢獻(xiàn)。”

關(guān)于UAES

UAES公司是中聯(lián)汽車電子有限公司和德國羅伯特·博世有限公司在中國的合資企業(yè),是汽車行業(yè)一級綜合供應(yīng)商。自1995年成立以來,該公司已在中國市場獲得了引擎控制單元和燃油汽車動力總成業(yè)務(wù)領(lǐng)域極高的市場份額,2009年之后開始面向電動汽車領(lǐng)域開發(fā)包括主機逆變器在內(nèi)的產(chǎn)品。http://www.uaes.com/servlet/portal/index.html

關(guān)于羅姆

羅姆是成立于1958年的半導(dǎo)體和電子元件制造商。通過遍及全球的開發(fā)與銷售網(wǎng)絡(luò),為汽車和工業(yè)設(shè)備市場以及消費電子、通信等眾多市場提供高品質(zhì)和高可靠性的IC、分立半導(dǎo)體和電子元器件產(chǎn)品。在羅姆擅長的模擬和電源領(lǐng)域,羅姆的優(yōu)勢是提供包括SiC功率元器件及充分發(fā)揮其性能的驅(qū)動IC、以及晶體管、二極管、電阻器等外圍元器件在內(nèi)的系統(tǒng)整體的優(yōu)化解決方案。

<術(shù)語解說>

*1) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)

同時具有MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極晶體管的低傳導(dǎo)損耗特性的功率晶體管。

*2) 傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗

因元器件結(jié)構(gòu)的緣故,MOSFET和IGBT等晶體管在使用時會產(chǎn)生損耗。傳導(dǎo)損耗是電流流過元器件時(ON狀態(tài)時),受元器件的電阻分量影響而產(chǎn)生的損耗。開關(guān)損耗是切換元器件的通電狀態(tài)時(開關(guān)動作時)產(chǎn)生的損耗。

（免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請進(jìn)一步核實，并對任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對有關(guān)資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。
任何單位或個人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識產(chǎn)權(quán)或存在不實內(nèi)容時，應(yīng)及時向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實情況說明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。 ）