2019 年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于調(diào)整期。根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）發(fā)布的預(yù)測，半導(dǎo)體制造設(shè)備 2019 年的全球銷售額將同比減少 18.4%，降至 527 億美元。在與非網(wǎng)年終策劃專題《回顧 2019，展望 2020》的采訪中，泛林集團公司副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理劉二壯博士給出了比較樂觀的答案，他表示，“產(chǎn)業(yè)成長步伐的放緩并未影響泛林集團的創(chuàng)新發(fā)展動力。作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新晶圓制造設(shè)備及服務(wù)主要供應(yīng)商，泛林集團抓住契機，在研發(fā)方面加快步伐加大投入，不斷實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新?！?/p>
泛林集團公司副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理 劉二壯博士
以創(chuàng)新解決方案助力客戶成功
泛林集團始終以“助力客戶成功”為使命，憑借卓越的系統(tǒng)工程能力、技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，幫助客戶取得技術(shù)進步、提高生產(chǎn)力。
在今年 4 月，泛林集團與客戶攜手達(dá)成了一項宏偉目標(biāo)，實現(xiàn)自維護設(shè)備在無需維護清洗的情況下連續(xù)運行 365 天，創(chuàng)下里程碑式紀(jì)錄。在當(dāng)今半導(dǎo)體工藝環(huán)境中，平均清洗間隔時間是限制刻蝕系統(tǒng)生產(chǎn)率提高的主要因素。利用泛林集團自維護解決方案，設(shè)備可自主決策需要更換部件的時間，且無需打開腔室即可自動更換，減少了設(shè)備的停機時間，提高了工廠的生產(chǎn)效率。劉二壯博士強調(diào)，“這一技術(shù)是泛林集團 Equipment Intelligence 解決方案的一部分，該解決方案集成了關(guān)鍵元件，并可創(chuàng)建自感知、自維護和自適應(yīng)的設(shè)備與工藝。此外，Equipment Intelligence 解決方案整合了機器學(xué)習(xí)、人工智能和自動化、自感知的硬件與工藝，有望提高生產(chǎn)效率，改善產(chǎn)品性能，加速行業(yè)創(chuàng)新。”
在今年 8 月，泛林集團又推出全新解決方案 -- 用于背面薄膜沉積的設(shè)備 VECTORDT 和用于去除背面和邊緣薄膜的濕法刻蝕設(shè)備 EOSGS。劉二壯博士表示，“通過該設(shè)備的推出，我們擴大了現(xiàn)有的應(yīng)力管理解決方案組合，能夠全面管理晶圓生產(chǎn)中的應(yīng)力，支持客戶縱向技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，從而幫助客戶提高芯片存儲密度，以滿足人工智能和機器學(xué)習(xí)等應(yīng)用的需求。”
12 月，泛林集團宣布其半導(dǎo)體制造系統(tǒng)產(chǎn)品組合推出全新功能，配置了 Corvus 刻蝕系統(tǒng)和 Coronus 等離子斜面清潔系統(tǒng)可有效解決大規(guī)模生產(chǎn)中的邊緣良率問題，從而提高客戶的生產(chǎn)效率。泛林集團在其解決方案的早期開發(fā)階段，便與客戶開展緊密合作，以了解每位客戶所面臨的不同技術(shù)挑戰(zhàn)，從而提供針對性的解決方案。
海量數(shù)據(jù)推動存儲器發(fā)展
隨著云計算、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G 時代的到來，每天都有海量數(shù)據(jù)生成，對于數(shù)據(jù)存儲日益增長的需求驅(qū)使著更加先進的存儲器的誕生。根據(jù) IC Insights 統(tǒng)計，自 2013 年以來，存儲器市場一直帶動著半導(dǎo)體市場的成長。其還預(yù)計 2019 年存儲器產(chǎn)業(yè)資本支出將占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總資本支出的 43%。一直以來，泛林集團憑借其在 NAND、DRAM、存儲器的 3D 封裝以及新型存儲器領(lǐng)域的先進技術(shù)，在存儲器領(lǐng)域保持著領(lǐng)先地位。特別是在 3D NAND，泛林集團提供了一系列解決方案，以應(yīng)對其結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)所面臨的生產(chǎn)工藝的多重挑戰(zhàn)。
例如，泛林集團提供的鎢原子層沉積解決方案，精度非常高，可生成與沉積表面一致的光滑無空隙層；Flex 產(chǎn)品系列提供多種差異化技術(shù)和以應(yīng)用為核心的功能，適用于關(guān)鍵介電質(zhì)刻蝕，被廣泛地應(yīng)用于 3D NAND 結(jié)構(gòu)中的高深寬比通道孔刻蝕；ALTUS 產(chǎn)品系列可實現(xiàn)在先進 3D NAND 制造中低氟，低應(yīng)力的鎢填充。
2020年，人工智能賦能的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
2020 年，5G、人工智能和自動駕駛技術(shù)仍將保持蓬勃的發(fā)展勢頭。同時，新技術(shù)給半導(dǎo)體行業(yè)提出了更多的技術(shù)要求和挑戰(zhàn)，我們需要不斷創(chuàng)新，研發(fā)下一代邏輯與存儲設(shè)備。然而，每一代新設(shè)備都需要更多創(chuàng)新，依靠更多工藝步驟，從而大大增加了制造的復(fù)雜性。因此，從一個技術(shù)節(jié)點過渡到下一個的時間變得越來越長，實現(xiàn)制造能力的成本也在增加。在劉二壯博士看來，“保持行業(yè)快速創(chuàng)新的關(guān)鍵是利用由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)賦能的工業(yè) 4.0 技術(shù)。通過開展合作， 我們將得以加快設(shè)備設(shè)計、加快工藝開發(fā)與良率提升，從而加速新技術(shù)問世?！?/p>
加快設(shè)備設(shè)計： 數(shù)字孿生技術(shù)可以減少物理世界的學(xué)習(xí)周期，創(chuàng)造更多“一次成功”的產(chǎn)品。一旦設(shè)計合適，就可以使用增材制造的方法實現(xiàn)傳統(tǒng)技術(shù)無法輕易制造的零件；
加快工藝開發(fā)： 虛擬制造和虛擬工藝開發(fā)有望在實驗設(shè)計之前，開發(fā)優(yōu)化的單元工藝，并集成到整體工藝方案流中；
加快良率提升： 機器學(xué)習(xí)可以快速識別腔室失配和工藝參數(shù)變動，從而盡早發(fā)現(xiàn)和解決問題，確保制造過程能隨著時間的推移保持一致性；虛擬現(xiàn)實和增強現(xiàn)實技術(shù)，加上按部就班的指導(dǎo)，可以幫助確保高質(zhì)量的安裝和服務(wù)。
根據(jù) SEMI 的世界晶圓代工工廠預(yù)測報告（World Fab Forecast Report），2020 年開工建設(shè)的新晶圓代工工廠項目投資預(yù)計將達(dá)到近 500 億美元，比 2019 年增加約 120 億美元。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商，泛林集團將通過不斷推出創(chuàng)新性技術(shù)、更高的生產(chǎn)能力以及優(yōu)異的服務(wù)來滿足半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新及日益增長的需求。
作者：郭云云
（免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請進一步核實，并對任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對有關(guān)資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。
任何單位或個人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識產(chǎn)權(quán)或存在不實內(nèi)容時，應(yīng)及時向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實情況說明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。 ）
