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    5G時代,SRAM和TCAM需求將飆升

    隨著許多新技術(shù)的涌現(xiàn),下一代存儲器市場正在升溫,但將這些產(chǎn)品引入主流市場仍面臨一些挑戰(zhàn)。多年來,該行業(yè)一直致力于各種存儲技術(shù)的研究。這些不同類型的存儲器都對應(yīng)特定的應(yīng)用領(lǐng)域,但都勢必將在存儲器家族中取代一個或者多個傳統(tǒng)型存儲。芯片架構(gòu)正在與新市場一起發(fā)展,但數(shù)據(jù)在芯片、設(shè)備之間以及系統(tǒng)之間如何移動并不總是很清楚。汽車和AI應(yīng)用的數(shù)據(jù)正變得越來越多和復(fù)雜,但芯片架構(gòu)在處理時有時不清楚如何優(yōu)先處理數(shù)據(jù)。這讓芯片設(shè)計人員面臨抉擇,是選擇共用內(nèi)存降低成本,還是增加不同類型內(nèi)存提高性能和降低功耗。

    5G需求帶來的變化

    目前,整個網(wǎng)絡(luò)隨著移動互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的快速發(fā)展,從而使得網(wǎng)絡(luò)中的移動設(shè)備的數(shù)量大幅度增加,導(dǎo)致了用戶終端數(shù)、流量以及IP地址都出現(xiàn)了大量增長。這也就對針對不同類型設(shè)備的流量管控提出了挑戰(zhàn),很多客戶需要對不同的訪問流量而提供不同的服務(wù),對于不同的移動設(shè)備在訪問中的安全性和訪問控制性也需要產(chǎn)生出不同的定義策略。

    國內(nèi)的電信運營商也一直對于智能管道保持著關(guān)注,其中就需要對用戶在訪問不同頁面或使用不同業(yè)務(wù)時在網(wǎng)絡(luò)上進(jìn)行策略上的改變。此前,國內(nèi)用戶就曾發(fā)現(xiàn)過在同樣網(wǎng)絡(luò)環(huán)境下,使用移動的視頻業(yè)務(wù)的流暢度就要高于使用普通的流媒體客戶端。數(shù)據(jù)流量不是運營商的負(fù)擔(dān),而是新的收入增長源泉。數(shù)據(jù)流量的精細(xì)化經(jīng)營需要提高到公司的戰(zhàn)略層面。

    網(wǎng)絡(luò)搜索引擎芯片的意義就在于讓設(shè)備可以在更復(fù)雜龐大的流量面前能夠迅速完成對于不同流量的查找,然后在配之以相應(yīng)的管控策略。下一代網(wǎng)絡(luò)設(shè)備采用了新模式,既基于高度靈活、高度可擴(kuò)展的流服務(wù)的模式,這類新型設(shè)備需要極高的可擴(kuò)展性。

    SRAM是未來存儲的底層基礎(chǔ)

    盡管市場出現(xiàn)了新的變化,但片上SRAM仍是主流。其價格昂貴且密度有限,但其高速性能多年來已被驗證。片上存儲器的挑戰(zhàn)是采用分布還是共用的方式,在某些情況下,為保證安全性需要增加冗余。所有這些要求都會影響存儲器的類型和數(shù)量的選擇,還涉及片上和片外存儲器之間的權(quán)衡,以及訪問每個存儲器互連的復(fù)雜性。

    當(dāng)前的存儲器能夠正常運作,但是它們正在努力跟上系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和帶寬需求的激增。這彰顯了下一代存儲器的用武之地。新型存儲器結(jié)合了SRAM的速度和Flash的非易失性和良好的耐久性。這些技術(shù)擁有出色的規(guī)格,但它們要么遲遲未出現(xiàn),要么效能不盡人意。

    所有這些都是以安全為前提,并且不同的市場設(shè)計的要求也不一樣。比如,汽車中的各種類型的圖像傳感器(如激光雷達(dá)和攝像頭)的大量數(shù)據(jù)需要在本地處理,AI芯片則希望性能能夠提升100倍。解決內(nèi)存問題有一些方法,其中一種是片上存儲器,也就是將存儲器分散地集成在運算單元旁,最大程度減少數(shù)據(jù)搬移,這種方法的目標(biāo)是通過減少負(fù)載和存儲的數(shù)量來突破內(nèi)存瓶頸,也能降低功耗。

    存儲器將影響人工智能的發(fā)展

    人工智能在幾乎所有新技術(shù)中都扮演著重要角色,而存儲器又在人工智能中起著重要作用。極高的速度和極低的功率是芯片一直以來追求的,不過這并不總是有效,因為空間有限。

    無論應(yīng)用領(lǐng)域如何,功率仍然是首要考慮因素。隨著SoC設(shè)計向更小化發(fā)展,存儲器的消耗正在增加,嵌入式存儲器的容量也在增加?,F(xiàn)在,超過50%的裸片是存儲器,所以人們必須注意存儲器的耗電量。

    盡管有大量革命性技術(shù)和創(chuàng)新架構(gòu),但內(nèi)存仍然是設(shè)計的核心。雖然即將出現(xiàn)新的存儲器類型,例如相變和自旋扭矩,但大部分仍然應(yīng)用于各種條件的市場。最大的變化在于如何對現(xiàn)有存儲器進(jìn)行優(yōu)先級劃分、共用、在設(shè)計中選擇,以及最終如何使用它們。

    TCAM是能有效應(yīng)對5G需求

    在像核心路由器或匯聚路由器這樣的設(shè)備中,目前為了應(yīng)對復(fù)雜龐大的數(shù)據(jù)流,網(wǎng)絡(luò)搜索引擎芯片成為了設(shè)備中的雙眼,來幫助進(jìn)行流量識別?;赗RAM的三元內(nèi)容可尋址存儲器(TCAM)電路可以匹配多芯神經(jīng)形態(tài)處理器應(yīng)用的基于CMOS的SRAM電路的性能,盡管性能和可靠性權(quán)衡。

    TCAM電路提供了一種使用指示范圍的掩碼搜索大型數(shù)據(jù)集的方法。它們允許通過其內(nèi)容搜索存儲的信息,而不是通過其物理地址檢索存儲器單元的存儲信息的經(jīng)典存儲器系統(tǒng)。因此,這些電路非常適用于復(fù)雜路由和大數(shù)據(jù)應(yīng)用,其中很少需要精確匹配。與經(jīng)典的基于存儲器的搜索算法相比,它們縮短了搜索時間,因為所有存儲的信息在單個時鐘周期內(nèi)與搜索到的數(shù)據(jù)并行比較。

    以電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(RRAM)為基礎(chǔ)的三態(tài)內(nèi)容可尋址內(nèi)存(TCAM)電路性能媲美基于CMOS的動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)電路,盡管仍存在性能和可靠性之間的權(quán)衡折衷,但適于多核心的神經(jīng)形態(tài)網(wǎng)絡(luò)處理器應(yīng)用。傳統(tǒng)基于SRAM的TCAM電路通常以16個CMOS晶體管建置,這使得TCAM在標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存結(jié)構(gòu)下的儲存容量經(jīng)常受限于幾十個兆字節(jié)(megabyte;MB),而且在神經(jīng)形態(tài)運算神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片中占用寶貴的芯片面積。

    TCAM電路的工作原理是使用指示范圍的屏蔽位來搜尋大量數(shù)據(jù)組合。相較于典型內(nèi)存系統(tǒng)透過物理尋址方式檢索內(nèi)存單元儲存的信息,TCAM則是透過內(nèi)容搜尋儲存的信息。因此,這些電路的性能非常適于復(fù)雜的路由和大數(shù)據(jù)應(yīng)用——這類應(yīng)用通常不太需要精確匹配。相較于典型的內(nèi)存搜尋算法,TCAM電路的方式由于平行比對了所有儲存數(shù)據(jù)以及單次頻率周期內(nèi)的搜尋數(shù)據(jù),從而縮短了搜尋的時間。

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    2019-04-18
    5G時代,SRAM和TCAM需求將飆升
    隨著許多新技術(shù)的涌現(xiàn),下一代存儲器市場正在升溫,但將這些產(chǎn)品引入主流市場仍面臨一些挑戰(zhàn)。多年來,該行業(yè)一直致力于各種存儲技術(shù)的研究。

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